G30C120CTW 是一款基� GaN(氮化鎵)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT),專為高頻、高效率功率�(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用增強(qiáng)型結(jié)�(gòu),支持常�(guān)模式操作,具備低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)效率并減小整體尺�。其典型�(yīng)用場景包� DC-DC �(zhuǎn)換器、圖騰柱 PFC、無線充電及各類高性能電源管理�(lǐng)��
G30C120CTW 的封裝形式為符合行業(yè)�(biāo)�(zhǔn)� TO-247 封裝,便于集成到�(xiàn)有電路設(shè)�(jì)�。通過�(jié)合先�(jìn)的材料特性和�(yōu)化的芯片�(shè)�(jì),該�(chǎn)品實(shí)�(xiàn)了卓越的性能與可靠性�
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�120A
�(dǎo)通電阻:8mΩ
柵極電荷�120nC
輸入電容�1500pF
反向傳輸電容�35pF
開關(guān)頻率范圍:最高至 5MHz
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝類型:TO-247
1. 基于第三代半�(dǎo)體材� GaN 技�(shù),提供更低的�(dǎo)通損耗和開關(guān)損��
2. 高擊穿電壓能力(650V),適合多種高壓�(yīng)用環(huán)��
3. 極低的導(dǎo)通電阻(8mΩ),有效降低功率損��
4. 快速開�(guān)特�,支持高�(dá) 5MHz 的開�(guān)頻率,減少磁性元件體��
5. 增強(qiáng)型器件結(jié)�(gòu),確保在正常工作條件下處于常�(guān)狀�(tài),簡化驅(qū)�(dòng)�(shè)�(jì)�
6. 工作溫度范圍寬廣�-55� � +175℃),適�(yīng)惡劣的工作條��
7. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
1. 高效 DC-DC �(zhuǎn)換器
2. 圖騰柱功率因�(shù)校正(PFC)電�
3. 服務(wù)器和通信�(shè)備中的電源模�
4. 新能源汽車車載充電器(OBC�
5. 無線充電�(fā)射端和接收端
6. 消費(fèi)類快充適配器
7. 光伏逆變器及其他工業(yè)�(jí)電源解決方案