時間：2025/5/22 23:55:02
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G6QN1G960M2RE-J 是一款由東芝（Toshiba）生產(chǎn)的高可靠性 N 溝道增強型 MOSFET 芯片。該器件采用先進的制造工藝，具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能，適用于各種功率轉(zhuǎn)換和負(fù)載開關(guān)應(yīng)用。其封裝形式為 DPAK（TO-263），能夠提供卓越的散熱性能以滿足高效能需求。
該 MOSFET 的設(shè)計重點在于優(yōu)化效率和降低功耗，因此非常適合工業(yè)控制、汽車電子、通信電源以及消費類電子產(chǎn)品中的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器和電機驅(qū)動電路。此外，它還支持大電流操作，并能在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持穩(wěn)定性能。
最大漏源電壓：60V
連續(xù)漏極電流：58A
導(dǎo)通電阻：1.4mΩ
柵極電荷：78nC
總電容：1660pF
工作溫度范圍：-55℃ 至 150℃
封裝形式：DPAK（TO-263）
G6QN1G960M2RE-J 具備以下顯著特點：
1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高整體系統(tǒng)效率。
2. 快速開關(guān)能力，能夠?qū)崿F(xiàn)高頻運行，從而減小外部元件尺寸。
3. 高雪崩能量耐受能力，增強了器件在異常條件下的魯棒性。
4. 寬泛的工作溫度范圍使其適用于惡劣環(huán)境下的應(yīng)用。
5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，確保環(huán)保與可持續(xù)性。
這些特性使得 G6QN1G960M2RE-J 成為需要高性能和高可靠性的應(yīng)用場合的理想選擇。
這款 MOSFET 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源（SMPS）和 DC/DC 轉(zhuǎn)換器中的主開關(guān)或同步整流器件。
2. 工業(yè)設(shè)備中的電機驅(qū)動和逆變器控制。
3. 汽車電子系統(tǒng)中的負(fù)載切換和電池管理。
4. 通信基礎(chǔ)設(shè)施中的功率分配網(wǎng)絡(luò)。
5. 消費類電子產(chǎn)品中的快速充電適配器和 LED 照明驅(qū)動。
G6QN1G960M2RE-J 的大電流承載能力和高效性能特別適合于對功率密度和熱管理要求較高的場景。
G6QN1G960M2RE-H, G6QN1G960M2RE-K
