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G6QN1G960M2RE-J 發(fā)布時間 時間�2025/5/22 23:55:02 查看 閱讀�22

G6QN1G960M2RE-J 是一款由東芝(Toshiba)生�(chǎn)的高可靠� N 溝道增強� MOSFET 芯片。該器件采用先進的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能,適用于各種功率�(zhuǎn)換和�(fù)載開�(guān)�(yīng)�。其封裝形式� DPAK(TO-263�,能夠提供卓越的散熱性能以滿足高效能需求�
  � MOSFET 的設(shè)計重點在于優(yōu)化效率和降低功�,因此非常適合工�(yè)控制、汽車電�、通信電源以及消費類電子產(chǎn)品中� DC/DC �(zhuǎn)換器和電機驅(qū)動電路。此�,它還支持大電流操作,并能在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持�(wěn)定性能�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�58A
  �(dǎo)通電阻:1.4mΩ
  柵極電荷�78nC
  總電容:1660pF
  工作溫度范圍�-55� � 150�
  封裝形式:DPAK(TO-263�

特�

G6QN1G960M2RE-J 具備以下顯著特點�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于減少傳�(dǎo)損耗并提高整體系統(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)能力,能�?qū)崿F(xiàn)高頻運行,從而減小外部元件尺��
  3. 高雪崩能量耐受能力,增強了器件在異常條件下的魯棒��
  4. 寬泛的工作溫度范圍使其適用于惡劣�(huán)境下的應(yīng)��
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),確保環(huán)保與可持�(xù)��
  這些特性使� G6QN1G960M2RE-J 成為需要高性能和高可靠性的�(yīng)用場合的理想選擇�

�(yīng)�

這款 MOSFET 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)和 DC/DC �(zhuǎn)換器中的主開�(guān)或同步整流器��
  2. 工業(yè)�(shè)備中的電機驅(qū)動和逆變器控��
  3. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載切換和電池管理�
  4. 通信基礎(chǔ)�(shè)施中的功率分配網(wǎng)�(luò)�
  5. 消費類電子產(chǎn)品中的快速充電適配器� LED 照明�(qū)��
  G6QN1G960M2RE-J 的大電流承載能力和高效性能特別適合于對功率密度和熱管理要求較高的場��

替代型號

G6QN1G960M2RE-H, G6QN1G960M2RE-K

g6qn1g960m2re-j推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
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