G6S2GTR5DC 時(shí)間：2025/4/29 19:13:17 閱讀：29

G6S2GTR5DC 是一款由三菱電機(jī)（Mitsubishi Electric）生產(chǎn)的碳化硅 (SiC) MOSFET 功率模塊，采用第 6 代 SiC 技術(shù)。該模塊設(shè)計(jì)用于高頻和高效率的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用，具有低開(kāi)關(guān)損耗和高熱性能的特點(diǎn)。其內(nèi)部集成了兩個(gè)反并聯(lián)的 SiC MOSFET，適用于三相逆變器、DC-DC 轉(zhuǎn)換器以及其他工業(yè)功率轉(zhuǎn)換設(shè)備。
　　該模塊采用了 Mitsubishi 的 DIP24 封裝技術(shù)，能夠提供更高的散熱能力和更緊湊的設(shè)計(jì)，同時(shí)支持更高的工作溫度范圍。

參數(shù)

類型：SiC MOSFET模塊
　　額定電壓：1200V
　　額定電流：75A
　　Rds(on)（最大值）：9mΩ
　　開(kāi)關(guān)頻率：高達(dá)100kHz
　　封裝：DIP24
　　工作溫度范圍：-55℃至175℃

特性

G6S2GTR5DC 的主要特點(diǎn)是采用了碳化硅材料制造的 MOSFET，這使得模塊具有以下優(yōu)勢(shì)：
　　1. 高頻操作能力：由于 SiC 材料的優(yōu)異性能，模塊可以以高達(dá) 100kHz 的頻率運(yùn)行，從而減少磁性元件的體積和重量。
　　2. 低開(kāi)關(guān)損耗：與傳統(tǒng)的硅基 IGBT 相比，SiC MOSFET 具有更低的開(kāi)關(guān)損耗，可顯著提高系統(tǒng)的整體效率。
　　3. 高溫穩(wěn)定性：該模塊能夠在 -55℃ 至 175℃ 的寬溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定工作，適合極端環(huán)境下的應(yīng)用。
　　4. 緊湊設(shè)計(jì)：通過(guò)優(yōu)化的封裝技術(shù)，該模塊提供了更高的功率密度，同時(shí)減少了 PCB 占用空間。
　　5. 反并聯(lián)結(jié)構(gòu)：內(nèi)部集成的兩個(gè)反向并聯(lián) MOSFET 使得模塊可以直接應(yīng)用于雙向電流場(chǎng)景，如逆變器或電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。

應(yīng)用

G6S2GTR5DC 主要應(yīng)用于需要高效率和高頻操作的電力電子領(lǐng)域，包括但不限于：
　　1. 太陽(yáng)能逆變器：利用其高效和高頻特性來(lái)提升光伏系統(tǒng)的能量轉(zhuǎn)換效率。
　　2. 電動(dòng)汽車充電站：在 DC-DC 和 DC-AC 轉(zhuǎn)換中發(fā)揮重要作用，提高充電速度和效率。
　　3. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)：為高性能電機(jī)控制系統(tǒng)提供穩(wěn)定的功率輸出。
　　4. 不間斷電源（UPS）：增強(qiáng)系統(tǒng)的可靠性和效率，延長(zhǎng)電池使用壽命。
　　5. 風(fēng)力發(fā)電變流器：支持風(fēng)力發(fā)電機(jī)組中的功率調(diào)節(jié)和并網(wǎng)功能。