G709T1UF是一款基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT),專為高頻和高功率應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該器件具有極低的導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)特性,非常適合用于開(kāi)關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、無(wú)線充電以及射頻放大器等場(chǎng)景。G709T1UF采用表面貼裝封裝形式,便于自動(dòng)化生產(chǎn)和焊接,同時(shí)具備良好的散熱性能。
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流:9A
導(dǎo)通電阻:120mΩ
柵極電荷:65nC
開(kāi)關(guān)頻率:高達(dá)5MHz
工作溫度范圍:-40℃至+125℃
封裝形式:TO-252
G709T1UF的核心優(yōu)勢(shì)在于其使用了先進(jìn)的氮化鎵材料,這使得器件在高頻運(yùn)行時(shí)依然保持高效和低損耗。
1. 高開(kāi)關(guān)速度:由于氮化鎵的寬帶隙特性,G709T1UF能夠?qū)崿F(xiàn)比傳統(tǒng)硅基MOSFET更高的開(kāi)關(guān)頻率,從而減小無(wú)源元件的尺寸并提高系統(tǒng)效率。
2. 低導(dǎo)通電阻:相比同類產(chǎn)品,G709T1UF的導(dǎo)通電阻更低,降低了傳導(dǎo)損耗,特別適合大電流應(yīng)用。
3. 緊湊設(shè)計(jì):其表貼封裝節(jié)省了PCB空間,并且支持高效的熱管理。
4. 強(qiáng)大的可靠性:即使在惡劣環(huán)境下,如高溫或高頻操作條件下,該器件仍能提供穩(wěn)定的性能表現(xiàn)。
G709T1UF適用于多種高性能電力電子領(lǐng)域:
1. 開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS):例如AC-DC適配器和USB-PD快充頭。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器:包括電動(dòng)汽車車載充電器和數(shù)據(jù)中心供電模塊。
3. 射頻功率放大器:用于基站和其他通信設(shè)備。
4. 無(wú)線能量傳輸:支持高效的大功率無(wú)線充電方案。
5. 工業(yè)驅(qū)動(dòng)器:如電機(jī)控制和逆變器系統(tǒng)。
G809T1UF
G709T2UF