G709T1UF是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT�,專為高頻和高功率應(yīng)用而設(shè)�(jì)。該器件具有極低的導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,非常適合用于開(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、無(wú)線充電以及射頻放大器等場(chǎng)�。G709T1UF采用表面貼裝封裝形式,便于自�(dòng)化生�(chǎn)和焊�,同�(shí)具備良好的散熱性能�
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�9A
�(dǎo)通電阻:120mΩ
柵極電荷�65nC
�(kāi)�(guān)頻率:高�(dá)5MHz
工作溫度范圍�-40℃至+125�
封裝形式:TO-252
G709T1UF的核心優(yōu)�(shì)在于其使用了先�(jìn)的氮化鎵材料,這使得器件在高頻�(yùn)行時(shí)依然保持高效和低損��
1. 高開(kāi)�(guān)速度:由于氮化鎵的寬帶隙特�,G709T1UF能夠?qū)崿F(xiàn)比傳�(tǒng)硅基MOSFET更高的開(kāi)�(guān)頻率,從而減小無(wú)源元件的尺寸并提高系�(tǒng)效率�
2. 低導(dǎo)通電阻:相比同類�(chǎn)品,G709T1UF的導(dǎo)通電阻更�,降低了傳導(dǎo)損�,特別適合大電流�(yīng)用�
3. 緊湊�(shè)�(jì):其表貼封裝節(jié)省了PCB空間,并且支持高效的熱管理�
4. �(qiáng)大的可靠性:即使在惡劣環(huán)境下,如高溫或高頻操作條件下,該器件仍能提供�(wěn)定的性能表現(xiàn)�
G709T1UF適用于多種高性能電力電子�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS):例如AC-DC適配器和USB-PD快充��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器:包括電�(dòng)汽車車載充電器和�(shù)�(jù)中心供電模塊�
3. 射頻功率放大器:用于基站和其他通信�(shè)��
4. �(wú)線能量傳輸:支持高效的大功率�(wú)線充電方案�
5. 工業(yè)�(qū)�(dòng)器:如電�(jī)控制和逆變器系�(tǒng)�
G809T1UF
G709T2UF