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時(shí)間：2025/5/21 18:06:23
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GA0402A1R0DXBAC31G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術(shù)的高效率功率開關(guān)器件，專為高頻、高功率密度應(yīng)用設(shè)計(jì)。該芯片采用先進(jìn)的 GaN HEMT 結(jié)構(gòu)，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，適用于開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場景。
相比傳統(tǒng)硅基 MOSFET，該型號(hào)具備更小的尺寸和更高的能效表現(xiàn)，能夠顯著降低系統(tǒng)損耗并提升整體性能。
型號(hào)：GA0402A1R0DXBAC31G
類型：GaN 功率開關(guān)
最大漏源電壓(V_DS)：600V
最大柵源電壓(V_GS)：±20V
導(dǎo)通電阻(R_DS(on))：40mΩ
連續(xù)漏極電流(I_D)：2A
脈沖漏極電流(I_PULSE)：8A
輸入電容(Ciss)：1500pF
輸出電容(Coss)：70pF
反向恢復(fù)時(shí)間(t_rr)：<20ns
工作溫度范圍(T_j)：-55°C 至 +150°C
1. 基于氮化鎵技術(shù)，提供卓越的高頻性能和低導(dǎo)通損耗。
2. 具備超低的 R_DS(on)，有效減少傳導(dǎo)損耗。
3. 快速開關(guān)速度，可支持 MHz 級(jí)別的開關(guān)頻率，適合高頻率應(yīng)用場景。
4. 高擊穿電壓能力，確保在高壓環(huán)境下可靠運(yùn)行。
5. 封裝緊湊，有助于縮小 PCB 占用面積并簡化熱管理設(shè)計(jì)。
6. 優(yōu)異的熱穩(wěn)定性，能夠在極端溫度范圍內(nèi)保持穩(wěn)定性能。
7. 內(nèi)置保護(hù)功能，包括過流保護(hù)和短路保護(hù)，提升系統(tǒng)可靠性。
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器，特別是高頻同步整流電路。
3. 無線充電模塊中的高效能量傳輸。
4. 汽車電子領(lǐng)域，如車載充電器(OBC)和逆變器。
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)與控制。
6. LED 驅(qū)動(dòng)電源及光伏微型逆變器。
7. 便攜式設(shè)備快充適配器的設(shè)計(jì)優(yōu)化。
GA0402A1R0DXBAE21G
GAN042-650BST
STGAP100
