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GA0402A1R0DXBAC31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/21 18:06:23 查看 閱讀�15

GA0402A1R0DXBAC31G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高效率功率開關(guān)器件,專為高�、高功率密度�(yīng)用設(shè)�(jì)。該芯片采用先�(jìn)� GaN HEMT �(jié)�(gòu),具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,適用于開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等場��
  相比傳統(tǒng)硅基 MOSFET,該型號(hào)具備更小的尺寸和更高的能效表�(xiàn),能夠顯著降低系�(tǒng)損耗并提升整體性能�

參數(shù)

型號(hào):GA0402A1R0DXBAC31G
  類型:GaN 功率開關(guān)
  最大漏源電�(V_DS)�600V
  最大柵源電�(V_GS):�20V
  �(dǎo)通電�(R_DS(on))�40mΩ
  連續(xù)漏極電流(I_D)�2A
  脈沖漏極電流(I_PULSE)�8A
  輸入電容(Ciss)�1500pF
  輸出電容(Coss)�70pF
  反向恢復(fù)�(shí)�(t_rr)�<20ns
  工作溫度范圍(T_j)�-55°C � +150°C

特�

1. 基于氮化鎵技�(shù),提供卓越的高頻性能和低�(dǎo)通損耗�
  2. 具備超低� R_DS(on),有效減少傳�(dǎo)損��
  3. 快速開�(guān)速度,可支持 MHz �(jí)別的開關(guān)頻率,適合高頻率�(yīng)用場��
  4. 高擊穿電壓能�,確保在高壓�(huán)境下可靠�(yùn)��
  5. 封裝緊湊,有助于縮小 PCB 占用面積并簡化熱管理�(shè)�(jì)�
  6. �(yōu)異的熱穩(wěn)定�,能夠在極端溫度范圍�(nèi)保持�(wěn)定性能�
  7. �(nèi)置保�(hù)功能,包括過流保�(hù)和短路保�(hù),提升系�(tǒng)可靠��

�(yīng)�

1. 開關(guān)模式電源(SMPS)�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器,特別是高頻同步整流電路�
  3. 無線充電模塊中的高效能量傳輸�
  4. 汽車電子�(lǐng)�,如車載充電�(OBC)和逆變器�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)與控��
  6. LED �(qū)�(dòng)電源及光伏微型逆變器�
  7. 便攜式設(shè)備快充適配器的設(shè)�(jì)�(yōu)��

替代型號(hào)

GA0402A1R0DXBAE21G
  GAN042-650BST
  STGAP100

ga0402a1r0dxbac31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • 電容1 pF
  • 容差±0.5pF
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0402�1005 公制�
  • 大小 / 尺寸0.039" � x 0.020" 寬(1.00mm x 0.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.024"�0.60mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-