GA0402A1R0DXBAC31G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高效率功率開關(guān)器件,專為高�、高功率密度�(yīng)用設(shè)�(jì)。該芯片采用先�(jìn)� GaN HEMT �(jié)�(gòu),具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,適用于開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等場��
相比傳統(tǒng)硅基 MOSFET,該型號(hào)具備更小的尺寸和更高的能效表�(xiàn),能夠顯著降低系�(tǒng)損耗并提升整體性能�
型號(hào):GA0402A1R0DXBAC31G
類型:GaN 功率開關(guān)
最大漏源電�(V_DS)�600V
最大柵源電�(V_GS):�20V
�(dǎo)通電�(R_DS(on))�40mΩ
連續(xù)漏極電流(I_D)�2A
脈沖漏極電流(I_PULSE)�8A
輸入電容(Ciss)�1500pF
輸出電容(Coss)�70pF
反向恢復(fù)�(shí)�(t_rr)�<20ns
工作溫度范圍(T_j)�-55°C � +150°C
1. 基于氮化鎵技�(shù),提供卓越的高頻性能和低�(dǎo)通損耗�
2. 具備超低� R_DS(on),有效減少傳�(dǎo)損��
3. 快速開�(guān)速度,可支持 MHz �(jí)別的開關(guān)頻率,適合高頻率�(yīng)用場��
4. 高擊穿電壓能�,確保在高壓�(huán)境下可靠�(yùn)��
5. 封裝緊湊,有助于縮小 PCB 占用面積并簡化熱管理�(shè)�(jì)�
6. �(yōu)異的熱穩(wěn)定�,能夠在極端溫度范圍�(nèi)保持�(wěn)定性能�
7. �(nèi)置保�(hù)功能,包括過流保�(hù)和短路保�(hù),提升系�(tǒng)可靠��
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器,特別是高頻同步整流電路�
3. 無線充電模塊中的高效能量傳輸�
4. 汽車電子�(lǐng)�,如車載充電�(OBC)和逆變器�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)與控��
6. LED �(qū)�(dòng)電源及光伏微型逆變器�
7. 便攜式設(shè)備快充適配器的設(shè)�(jì)�(yōu)��
GA0402A1R0DXBAE21G
GAN042-650BST
STGAP100