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GA0402A1R2BXBAC31G 發(fā)布時間 時間:2025/5/24 20:02:20 查看 閱讀:12

GA0402A1R2BXBAC31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,采用先進的制造工藝和封裝技術(shù)。該芯片廣泛應(yīng)用于電源管理、電機驅(qū)動以及各種工業(yè)和消費類電子設(shè)備中。其卓越的電氣特性和熱性能使其成為高效率開關(guān)應(yīng)用的理想選擇。
  這款 MOSFET 屬于 N 溝道增強型器件,能夠提供低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)能力,從而減少能量損耗并提高系統(tǒng)效率。

參數(shù)

型號:GA0402A1R2BXBAC31G
  類型:N溝道 MOSFET
  VDS(漏源電壓):40V
  RDS(on)(導(dǎo)通電阻):2mΩ(典型值,條件為 VGS=10V)
  ID(連續(xù)漏極電流):160A
  Qg(柵極電荷):9nC
  fsw(最大開關(guān)頻率):500kHz
  封裝形式:TO-247-3
  工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃

特性

GA0402A1R2BXBAC31G 具有以下顯著特點:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻 (RDS(on)),確保在大電流應(yīng)用中減少功耗和發(fā)熱。
  2. 快速開關(guān)速度,降低開關(guān)損耗,適用于高頻應(yīng)用場景。
  3. 優(yōu)化的柵極電荷 (Qg),簡化了驅(qū)動設(shè)計并提高了效率。
  4. 高雪崩擊穿能力和魯棒性,可承受異常工作條件下的過載和浪涌電流。
  5. 寬工作溫度范圍,適應(yīng)惡劣環(huán)境下的穩(wěn)定運行。
  6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求。

應(yīng)用

該芯片的主要應(yīng)用領(lǐng)域包括但不限于:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的主開關(guān)管。
  2. 電動工具和家用電器中的電機驅(qū)動電路。
  3. 新能源汽車 (EV/HEV) 的電池管理系統(tǒng) (BMS) 和逆變器模塊。
  4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負載控制和保護電路。
  5. 太陽能微逆變器和其他可再生能源相關(guān)產(chǎn)品。

替代型號

IRF3710, FDP15N50, CSD18532KCS

ga0402a1r2bxbac31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價格停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)停產(chǎn)
  • 電容1.2 pF
  • 容差±0.1pF
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 長 x 0.020" 寬(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.024"(0.60mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-