時間：2025/5/24 20:02:20
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GA0402A1R2BXBAC31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，采用先進的制造工藝和封裝技術(shù)。該芯片廣泛應(yīng)用于電源管理、電機驅(qū)動以及各種工業(yè)和消費類電子設(shè)備中。其卓越的電氣特性和熱性能使其成為高效率開關(guān)應(yīng)用的理想選擇。
這款 MOSFET 屬于 N 溝道增強型器件，能夠提供低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)能力，從而減少能量損耗并提高系統(tǒng)效率。
型號：GA0402A1R2BXBAC31G
類型：N溝道 MOSFET
VDS（漏源電壓）：40V
RDS(on)（導(dǎo)通電阻）：2mΩ（典型值，條件為 VGS=10V）
ID（連續(xù)漏極電流）：160A
Qg（柵極電荷）：9nC
fsw（最大開關(guān)頻率）：500kHz
封裝形式：TO-247-3
工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
GA0402A1R2BXBAC31G 具有以下顯著特點：
1. 極低的導(dǎo)通電阻 (RDS(on))，確保在大電流應(yīng)用中減少功耗和發(fā)熱。
2. 快速開關(guān)速度，降低開關(guān)損耗，適用于高頻應(yīng)用場景。
3. 優(yōu)化的柵極電荷 (Qg)，簡化了驅(qū)動設(shè)計并提高了效率。
4. 高雪崩擊穿能力和魯棒性，可承受異常工作條件下的過載和浪涌電流。
5. 寬工作溫度范圍，適應(yīng)惡劣環(huán)境下的穩(wěn)定運行。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求。
該芯片的主要應(yīng)用領(lǐng)域包括但不限于：
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的主開關(guān)管。
2. 電動工具和家用電器中的電機驅(qū)動電路。
3. 新能源汽車 (EV/HEV) 的電池管理系統(tǒng) (BMS) 和逆變器模塊。
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負載控制和保護電路。
5. 太陽能微逆變器和其他可再生能源相關(guān)產(chǎn)品。
IRF3710, FDP15N50, CSD18532KCS
