GA0402A1R5CXBAP31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效率功率開關(guān)晶體�,廣泛應(yīng)用于高頻開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和無線充電等場景。該器件具有低導通電阻、高開關(guān)速度和高耐壓能力,能夠顯著提高功率密度并降低系統(tǒng)能��
此型號屬于增強型常關(guān)(E-mode)器�,采用先進的封裝工藝以優(yōu)化熱性能和電氣性能,適合需要高效能和緊湊設(shè)計的�(yīng)用場��
類型:增強型 MOSFET
材料:氮化鎵 (GaN)
最大漏源電壓:650V
導通電阻:1.5mΩ
連續(xù)漏極電流�90A
柵極�(qū)動電壓:4V � 8V
開關(guān)頻率:支持高� 5MHz
�(jié)溫范圍:-55� � +175�
封裝形式:BAP31G
GA0402A1R5CXBAP31G 的主要特點是其低導通電阻和高開�(guān)頻率性能,這使得它在高頻開�(guān)�(yīng)用中表現(xiàn)出色,同時還能減少散熱需求和外部元件�(shù)��
此外,由于采用了增強型結(jié)�(gòu),該器件無需復雜的柵極驅(qū)動電路即可正常工�,從而簡化了�(shè)計流�。其出色的熱�(wěn)定性和可靠性使其適用于工業(yè)級和消費級的各種嚴苛�(huán)境�
以下是其具體特點�
1. 高效的開�(guān)性能,可實現(xiàn)高達 99% 的轉(zhuǎn)換效率�
2. 超低的導通電阻減少了傳導損��
3. 支持高頻操作,有助于減小磁性元件體�,提升功率密��
4. 具備強大的短路保護能力和抗電磁干擾能��
5. 封裝緊湊,便于表面貼裝(SMD�,適合自動化生產(chǎn)�
該器件非常適合用于以下應(yīng)用場景:
1. 高頻 DC-DC �(zhuǎn)換器,如服務(wù)器電源、通信�(shè)備電源和汽車電子中的負載點(POL)模塊�
2. 開關(guān)電源適配�,包括筆記本電腦和手機快充頭�
3. 無線充電�(fā)射端和接收端模塊,支持更高功率和更小尺寸的設(shè)��
4. 工業(yè)電機�(qū)動和光伏逆變�,滿足對高效率和可靠性的要求�
5. LED 照明�(qū)動器,提供更高的�(diào)光精度和�(wěn)定��
KSGA15H65-E3, GS66508T