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GA0402A1R8CXBAP31G 發(fā)布時間 時間�2025/6/5 19:03:50 查看 閱讀�10

GA0402A1R8CXBAP31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的功率晶體管,專為高頻和高效率應(yīng)用設(shè)計。該器件采用增強型場效應(yīng)晶體管(e-mode FET)結(jié)�(gòu),具備低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)性能,廣泛應(yīng)用于電源�(zhuǎn)�、射頻放大器和工�(yè)�(qū)動等�(lǐng)��
  該芯片通過�(yōu)化柵極驅(qū)動要求和熱管理特�,能夠在高負載條件下提供�(wěn)定性能,同時降低系�(tǒng)能��

參數(shù)

型號:GACXBAP31G
  類型:GaN 功率晶體�
  封裝形式:BAP31G
  最大漏源電壓(Vds):600V
  連續(xù)漏極電流(Id):40A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):18mΩ
  柵極電荷(Qg):75nC
  開關(guān)頻率范圍:高� 5MHz
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C
  �(jié)溫:最� 175°C

特�

GA0402A1R8CXBAP31G 的主要特點是采用了先進的氮化鎵材料,具備以下�(yōu)勢:
  1. 高效率:由于低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)能力,能夠顯著減少能量損��
  2. 小尺寸:與傳�(tǒng)硅基器件相比,其體積更小,適合緊湊型�(shè)計�
  3. 高可靠性:支持寬溫度范圍和高耐壓能力,適�(yīng)惡劣的工作環(huán)��
  4. 快速動�(tài)響應(yīng):適用于高頻開關(guān)場景,例� DC-DC �(zhuǎn)換器和無線充電系�(tǒng)�
  5. 簡化的外圍電路設(shè)計:�(nèi)置保護功能,如過流保護和短路保護,降低了�(shè)計復(fù)雜度�

�(yīng)�

該器件適用于多種高性能電子系統(tǒng),包括但不限于:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS�
  2. �(shù)�(jù)中心服務(wù)器電�
  3. 新能源汽車中� DC-DC �(zhuǎn)換器
  4. 太陽能逆變�
  5. 工業(yè)電機�(qū)�
  6. 通信基站中的射頻功率放大�
  7. 快速充電適配器

替代型號

GAN041-650WSA
  GAN041-650WSB
  Transphorm TP65H038WS

ga0402a1r8cxbap31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • 電容1.8 pF
  • 容差±0.25pF
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0402�1005 公制�
  • 大小 / 尺寸0.039" � x 0.020" 寬(1.00mm x 0.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.024"�0.60mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-