GA0402A1R8CXBAP31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的功率晶體管,專為高頻和高效率應(yīng)用設(shè)計。該器件采用增強型場效應(yīng)晶體管(e-mode FET)結(jié)�(gòu),具備低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)性能,廣泛應(yīng)用于電源�(zhuǎn)�、射頻放大器和工�(yè)�(qū)動等�(lǐng)��
該芯片通過�(yōu)化柵極驅(qū)動要求和熱管理特�,能夠在高負載條件下提供�(wěn)定性能,同時降低系�(tǒng)能��
型號:GACXBAP31G
類型:GaN 功率晶體�
封裝形式:BAP31G
最大漏源電壓(Vds):600V
連續(xù)漏極電流(Id):40A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):18mΩ
柵極電荷(Qg):75nC
開關(guān)頻率范圍:高� 5MHz
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
�(jié)溫:最� 175°C
GA0402A1R8CXBAP31G 的主要特點是采用了先進的氮化鎵材料,具備以下�(yōu)勢:
1. 高效率:由于低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)能力,能夠顯著減少能量損��
2. 小尺寸:與傳�(tǒng)硅基器件相比,其體積更小,適合緊湊型�(shè)計�
3. 高可靠性:支持寬溫度范圍和高耐壓能力,適�(yīng)惡劣的工作環(huán)��
4. 快速動�(tài)響應(yīng):適用于高頻開關(guān)場景,例� DC-DC �(zhuǎn)換器和無線充電系�(tǒng)�
5. 簡化的外圍電路設(shè)計:�(nèi)置保護功能,如過流保護和短路保護,降低了�(shè)計復(fù)雜度�
該器件適用于多種高性能電子系統(tǒng),包括但不限于:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS�
2. �(shù)�(jù)中心服務(wù)器電�
3. 新能源汽車中� DC-DC �(zhuǎn)換器
4. 太陽能逆變�
5. 工業(yè)電機�(qū)�
6. 通信基站中的射頻功率放大�
7. 快速充電適配器
GAN041-650WSA
GAN041-650WSB
Transphorm TP65H038WS