GA0402A270GXXAP31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,屬于溝道增�(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體�。該器件通常�(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載開�(guān)等場(chǎng)�。其�(shè)�(jì)旨在提供高效率和低導(dǎo)通電阻,從而降低功耗并提高系統(tǒng)性能�
該型�(hào)的特�(diǎn)是具有較低的�(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠在高頻開關(guān)�(yīng)用中表現(xiàn)出優(yōu)異的性能。同�(shí),它具備良好的熱�(wěn)定性和抗浪涌能力,適合在各種嚴(yán)苛環(huán)境下使用�
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電�(Vdss)�40V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�27A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�2.5mΩ
柵極電荷(Qg)�35nC
總電�(Ciss)�2240pF
封裝形式:PQFN5*6
GA0402A270GXXAP31G采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝,確保了其卓越的電氣性能�
1. 低導(dǎo)通電阻:Rds(on)僅為2.5mΩ,有效降低了傳導(dǎo)損�,提高了整體效率�
2. 高電流承載能力:連續(xù)漏極電流高達(dá)27A,能夠滿足大功率�(yīng)用需��
3. 快速開�(guān)性能:較小的柵極電荷�35nC)使器件能夠在高頻條件下�(yùn)行,減少開關(guān)損��
4. 良好的熱性能:優(yōu)化的封裝�(shè)�(jì)有助于提高散熱效�,確保長�(shí)間穩(wěn)定工��
5. �(qiáng)大的抗浪涌能力:能夠承受較高的瞬�(tài)電壓和電流沖擊,增強(qiáng)了系�(tǒng)的可靠��
這款MOSFET適用于多種電力電子應(yīng)用場(chǎng)景,包括但不限于�
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開�(guān)或同步整流元��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的高端或低端開�(guān)�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)開關(guān)�
4. �(fù)載開�(guān)及保�(hù)電路中的快速切換元件�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
由于其低�(dǎo)通電阻和高效能表�(xiàn),GA0402A270GXXAP31G特別適合要求高效率和高可靠性的�(yīng)用環(huán)��
GA0402A240GXXAP31G
IRFZ44N
STP27NF06L