GA0402A270GXXAP31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,屬于溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。該器件通常應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及負(fù)載開關(guān)等場(chǎng)景。其設(shè)計(jì)旨在提供高效率和低導(dǎo)通電阻,從而降低功耗并提高系統(tǒng)性能。
該型號(hào)的特點(diǎn)是具有較低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),能夠在高頻開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出優(yōu)異的性能。同時(shí),它具備良好的熱穩(wěn)定性和抗浪涌能力,適合在各種嚴(yán)苛環(huán)境下使用。
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電壓(Vdss):40V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):27A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):2.5mΩ
柵極電荷(Qg):35nC
總電容(Ciss):2240pF
封裝形式:PQFN5*6
GA0402A270GXXAP31G采用了先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝,確保了其卓越的電氣性能。
1. 低導(dǎo)通電阻:Rds(on)僅為2.5mΩ,有效降低了傳導(dǎo)損耗,提高了整體效率。
2. 高電流承載能力:連續(xù)漏極電流高達(dá)27A,能夠滿足大功率應(yīng)用需求。
3. 快速開關(guān)性能:較小的柵極電荷(35nC)使器件能夠在高頻條件下運(yùn)行,減少開關(guān)損耗。
4. 良好的熱性能:優(yōu)化的封裝設(shè)計(jì)有助于提高散熱效率,確保長時(shí)間穩(wěn)定工作。
5. 強(qiáng)大的抗浪涌能力:能夠承受較高的瞬態(tài)電壓和電流沖擊,增強(qiáng)了系統(tǒng)的可靠性。
這款MOSFET適用于多種電力電子應(yīng)用場(chǎng)景,包括但不限于:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)或同步整流元件。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的高端或低端開關(guān)。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率級(jí)開關(guān)。
4. 負(fù)載開關(guān)及保護(hù)電路中的快速切換元件。
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊。
由于其低導(dǎo)通電阻和高效能表現(xiàn),GA0402A270GXXAP31G特別適合要求高效率和高可靠性的應(yīng)用環(huán)境。
GA0402A240GXXAP31G
IRFZ44N
STP27NF06L