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GA0402A2R2CXBAP31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/28 11:40:22 查看 閱讀�16

GA0402A2R2CXBAP31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT),主要用于高頻、高效功率轉(zhuǎn)換應(yīng)�。該器件采用了先進的 GaN-on-Si 技�(shù),具有極低的�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,適用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、電機驅(qū)�、無線充電和其他需要高性能功率管理的應(yīng)用場��
  這款芯片在設(shè)計上注重提高效率和減少能量損�,同時其封裝形式也經(jīng)過優(yōu)化以適應(yīng)高密度電路板布局需求�

參數(shù)

型號:GA0402A2R2CXBAP31G
  類型:增強型高電子遷移率晶體管(HEMT�
  材料:氮化鎵(GaN�
  最大漏源電壓(Vds):650 V
  最大柵源電壓(Vgs):±8 V
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):40 mΩ
  連續(xù)漏極電流(Id):2 A
  開關(guān)頻率范圍:最高支� 5 MHz
  封裝形式:PQFN 3x3 mm
  工作溫度范圍�-55°C � +150°C

特�

GA0402A2R2CXBAP31G 的主要特點是其卓越的開關(guān)性能和高效率。與傳統(tǒng)的硅� MOSFET 相比,GaN 器件具備更低的寄生電容和更小的導(dǎo)通電�,從而顯著減少了開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損��
  此外,該芯片支持更高的開�(guān)頻率,這使得電源設(shè)計可以使用更小的磁性元件和濾波�,進而減小整體系�(tǒng)尺寸并降低物料成��
  其小型化� PQFN 封裝還進一步提高了 PCB 空間利用率,適合緊湊型設(shè)計要�。同�,它具備出色的熱�(wěn)定性,在高溫環(huán)境下仍能保持良好的性能表現(xiàn)�

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于各類高頻功率�(zhuǎn)換場�,例如數(shù)�(jù)中心電源、電動汽車車載充電器、消費類快充適配器以及工�(yè)自動化設(shè)備中的功率模��
  具體�(yīng)用場景包括:
  - 開關(guān)模式電源(SMPS�
  - DC-DC �(zhuǎn)換器
  - 電機�(qū)動控制器
  - 無線充電�(fā)射端
  - 太陽能微型逆變�
  這些�(lǐng)�?qū)Ω咝屎托◇w積有較高要求,� GA0402A2R2CXBAP31G 恰好能夠滿足這些需求�

替代型號

GA0402A2R2CXCAP31G, GS66508T, EPC2020

ga0402a2r2cxbap31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • 電容2.2 pF
  • 容差±0.25pF
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0402�1005 公制�
  • 大小 / 尺寸0.039" � x 0.020" 寬(1.00mm x 0.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.024"�0.60mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-