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GA0402A5R6DXBAP31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/30 13:33:29 查看 閱讀�14

GA0402A5R6DXBAP31G 是一種基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的功率晶體管,適用于高頻和高效率的電力電子應(yīng)�。該器件采用先�(jìn)� GaN 工藝制�,具有出色的開關(guān)性能和低�(dǎo)通電阻特�,可顯著提升系統(tǒng)的整體效��
  此型�(hào)通常用于電源管理、DC-DC �(zhuǎn)換器、無線充電以及各種工�(yè)�(yīng)用中。與傳統(tǒng)的硅� MOSFET 相比,GaN 器件能夠?qū)崿F(xiàn)更快的開�(guān)速度和更低的能量損耗,從而優(yōu)化系�(tǒng)�(shè)�(jì)�

參數(shù)

最大漏源電壓:600V
  連續(xù)漏極電流�2A
  �(dǎo)通電阻:60mΩ
  柵極電荷�25nC
  反向恢復(fù)�(shí)間:小于20ns
  工作溫度范圍�-40� � +125�

特�

GA0402A5R6DXBAP31G 具有以下主要特點(diǎn)�
  1. 高開�(guān)頻率:支持高�(dá)�(shù) MHz 的開�(guān)頻率,減少了磁性元件的尺寸和成本�
  2. 低導(dǎo)通電阻:在高電流條件下保持較低的功�,提高系�(tǒng)效率�
  3. 快速反向恢�(fù):顯著降低開�(guān)損耗,特別是在高頻�(yīng)用場(chǎng)景中�
  4. 熱穩(wěn)定性:即使在高溫環(huán)境下也能保持�(wěn)定的電氣性能�
  5. 小型封裝:采用節(jié)省空間的�(shè)�(jì),適合對(duì)體積敏感的應(yīng)用場(chǎng)��

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 電源適配器和充電器:
   �(shí)�(xiàn)高效的小型化�(shè)�(jì)�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器�
   提供快速動(dòng)�(tài)響應(yīng)和高�(zhuǎn)換效��
  3. 無線充電模塊�
   支持高功率無線充電解決方��
  4. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)�
   提升�(qū)�(dòng)系統(tǒng)的效率和可靠��
  5. 太陽能逆變器:
   在光伏系�(tǒng)中實(shí)�(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)��

替代型號(hào)

GA0402A5R6DXBAQ31G
  GA0402A5R6DXBAR31G

ga0402a5r6dxbap31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • 電容5.6 pF
  • 容差±0.5pF
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0402�1005 公制�
  • 大小 / 尺寸0.039" �(zhǎng) x 0.020" 寬(1.00mm x 0.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.024"�0.60mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-