GA0402H222MXAAP31G 是一款高性能的功率MOSFET器件,廣泛應用于開關電源、電機驅(qū)�、負載開關等電力電子領域。該芯片基于先進的半導體制造工�,具有低導通電阻、高開關速度和出色的熱性能等特�,能夠顯著提升系�(tǒng)效率并降低功��
該型號是N溝道增強型MOSFET,適用于多種需要高效功率轉(zhuǎn)換的應用場景�
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流�220A
導通電阻:0.7mΩ
柵極電荷�150nC
開關時間:開啟延遲時�25ns,上升時�10ns,關閉延遲時�20ns,下降時�15ns
工作溫度范圍�-55℃至175�
GA0402H222MXAAP31G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,可有效減少導通損耗,提高系統(tǒng)效率�
2. 高額定電流能力,適合大功率應��
3. 快速開關特性,支持高頻操作,從而減小磁性元件體積和整體系統(tǒng)尺寸�
4. 出色的熱�(wěn)定�,確保在極端�(huán)境下的可靠運��
5. �(nèi)置ESD保護電路,增強器件的抗靜電能��
6. 小型化封裝設�,便于PCB布局和散熱管理�
該芯片適用于多種工業(yè)和消費類電子�(chǎn)品中的功率控制場�,包括但不限于:
1. 開關模式電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 電機�(qū)動與控制
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
5. 汽車電子中的負載開關和繼電器替代
6. 工業(yè)自動化設備中的功率控制模�
7. 太陽能逆變器及儲能系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換部�
GA0402H222MXAAP32G
IRFP2907
FDP18N40