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GA0402H222MXAAP31G 發(fā)布時間 時間�2025/6/5 19:06:48 查看 閱讀�10

GA0402H222MXAAP31G 是一款高性能的功率MOSFET器件,廣泛應用于開關電源、電機驅(qū)�、負載開關等電力電子領域。該芯片基于先進的半導體制造工�,具有低導通電阻、高開關速度和出色的熱性能等特�,能夠顯著提升系�(tǒng)效率并降低功��
  該型號是N溝道增強型MOSFET,適用于多種需要高效功率轉(zhuǎn)換的應用場景�

參數(shù)

最大漏源電壓:40V
  連續(xù)漏極電流�220A
  導通電阻:0.7mΩ
  柵極電荷�150nC
  開關時間:開啟延遲時�25ns,上升時�10ns,關閉延遲時�20ns,下降時�15ns
  工作溫度范圍�-55℃至175�

特�

GA0402H222MXAAP31G 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,可有效減少導通損耗,提高系統(tǒng)效率�
  2. 高額定電流能力,適合大功率應��
  3. 快速開關特性,支持高頻操作,從而減小磁性元件體積和整體系統(tǒng)尺寸�
  4. 出色的熱�(wěn)定�,確保在極端�(huán)境下的可靠運��
  5. �(nèi)置ESD保護電路,增強器件的抗靜電能��
  6. 小型化封裝設�,便于PCB布局和散熱管理�

應用

該芯片適用于多種工業(yè)和消費類電子�(chǎn)品中的功率控制場�,包括但不限于:
  1. 開關模式電源(SMPS�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器
  3. 電機�(qū)動與控制
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
  5. 汽車電子中的負載開關和繼電器替代
  6. 工業(yè)自動化設備中的功率控制模�
  7. 太陽能逆變器及儲能系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換部�

替代型號

GA0402H222MXAAP32G
  IRFP2907
  FDP18N40

ga0402h222mxaap31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容2200 pF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • 應用汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0402�1005 公制�
  • 大小 / 尺寸0.039" � x 0.020" 寬(1.00mm x 0.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.024"�0.60mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-