GA0402Y122MXBAC31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先�(jìn)的制造工藝以提供卓越的電氣性能。該器件適用于需要高效開(kāi)�(guān)和低�(dǎo)通電阻的�(yīng)用場(chǎng)�,例如DC-DC�(zhuǎn)換器、電源管理模塊以及電�(jī)�(qū)�(dòng)電路等。其出色的熱特性和可靠性使其成為高功率密度�(shè)�(jì)的理想選��
該型�(hào)中的具體參數(shù)可以通過(guò)其編碼分解來(lái)獲取更多信息,例如封裝類(lèi)�、電壓等�(jí)及特定應(yīng)用領(lǐng)域等�
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流�20A
�(dǎo)通電阻:2.2mΩ
柵極電荷�85nC
�(kāi)�(guān)速度:超�
工作溫度范圍�-55� � 175�
GA0402Y122MXBAC31G 具有非常低的�(dǎo)通電阻(Rds(on)�,可以顯著減少導(dǎo)通損耗并提高整體效率。此�,它還具有較低的柵極電荷,從而降低了�(kāi)�(guān)損�,并支持高頻操作。此器件采用了先�(jìn)的封裝技�(shù),具備優(yōu)秀的散熱能�,能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)行�
該芯片的快速開(kāi)�(guān)能力和堅(jiān)固的�(shè)�(jì)使其非常適合用于各種工業(yè)和消�(fèi)�(lèi)電子�(shè)備中,包括但不限于筆記本電腦適配�、電信電源和電動(dòng)工具等領(lǐng)域�
此外,這款功率MOSFET 還具備強(qiáng)大的抗雪崩能力,在異常情況下能夠保護(hù)電路免受損壞�
主要�(yīng)用于高效能開(kāi)�(guān)電源、同步整流電路、負(fù)載切�、馬�(dá)控制以及其他需要高性能功率�(kāi)�(guān)的場(chǎng)�。在電動(dòng)汽車(chē)和混合動(dòng)力汽�(chē)的電池管理系�(tǒng)中也有廣泛應(yīng)�,因?yàn)樗軌虺惺茌^高的電流和電壓波�(dòng),同�(shí)保持�(wěn)定的性能表現(xiàn)�
�(duì)于便攜式�(shè)備而言,這種 MOSFET 能夠?qū)崿F(xiàn)更長(zhǎng)的電池續(xù)航時(shí)�,因?yàn)樗牡蛯?dǎo)通電阻減少了功耗損�。另外,� LED 照明系統(tǒng)里也可以用作�(diào)光控制器或驅(qū)�(dòng)器元��
GA0402Y122MXBAE21G
IRFZ44N
FDP5501
AON6711