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時(shí)間：2025/6/4 19:51:46
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GA0402Y123KXJAP31G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術(shù)的功率晶體管，屬于高效能、高頻開關(guān)應(yīng)用的理想選擇。該器件采用先進(jìn)的 GaN 工藝制造，能夠顯著提升電力電子系統(tǒng)的效率和功率密度。其設(shè)計(jì)適用于各種高功率密度應(yīng)用場景，如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、圖騰柱 PFC、無線充電以及激光雷達(dá)驅(qū)動(dòng)等。
相比傳統(tǒng)的硅基 MOSFET，該型號(hào)具備更低的導(dǎo)通電阻、更快的開關(guān)速度以及更高的工作頻率。同時(shí)，由于其出色的熱性能，可以在更小的封裝內(nèi)實(shí)現(xiàn)更大的輸出功率，從而降低系統(tǒng)體積和成本。
最大漏源電壓：600V
連續(xù)漏極電流：40A
導(dǎo)通電阻：40mΩ
柵極電荷：85nC
輸入電容：1250pF
反向恢復(fù)電荷：無（因 GaN 技術(shù)特性）
工作溫度范圍：-55℃ 至 +150℃
1. 極低的導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗，可實(shí)現(xiàn)高達(dá)99%以上的系統(tǒng)效率。
2. 高頻操作能力支持 MHz 級(jí)別的開關(guān)頻率，減少磁性元件的尺寸。
3. 內(nèi)置 ESD 保護(hù)功能以提高可靠性。
4. 具備快速短路保護(hù)機(jī)制，增強(qiáng)在異常條件下的安全性。
5. 小型化的芯片級(jí)封裝（CSP），節(jié)省 PCB 空間。
6. 出色的熱管理性能，確保高溫環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行。
7. 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)，適用于汽車級(jí)應(yīng)用。
1. 高效 DC-DC 轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)。
2. 圖騰柱無橋 PFC 電路。
3. 快速充電適配器和移動(dòng)電源。
4. 激光雷達(dá)驅(qū)動(dòng)器。
5. 無線功率傳輸模塊。
6. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)與控制。
7. 新能源汽車車載充電器（OBC）及逆變器。
8. 數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源單元（PSU）。
GAN041-650WSA, EPC2045, GS66508T
