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GA0402Y123KXJAP31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/6/4 19:51:46 查看 閱讀:12

GA0402Y123KXJAP31G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術(shù)的功率晶體管,屬于高效能、高頻開關(guān)應(yīng)用的理想選擇。該器件采用先進(jìn)的 GaN 工藝制造,能夠顯著提升電力電子系統(tǒng)的效率和功率密度。其設(shè)計(jì)適用于各種高功率密度應(yīng)用場景,如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、圖騰柱 PFC、無線充電以及激光雷達(dá)驅(qū)動(dòng)等。
  相比傳統(tǒng)的硅基 MOSFET,該型號(hào)具備更低的導(dǎo)通電阻、更快的開關(guān)速度以及更高的工作頻率。同時(shí),由于其出色的熱性能,可以在更小的封裝內(nèi)實(shí)現(xiàn)更大的輸出功率,從而降低系統(tǒng)體積和成本。

參數(shù)

最大漏源電壓:600V
  連續(xù)漏極電流:40A
  導(dǎo)通電阻:40mΩ
  柵極電荷:85nC
  輸入電容:1250pF
  反向恢復(fù)電荷:無(因 GaN 技術(shù)特性)
  工作溫度范圍:-55℃ 至 +150℃

特性

1. 極低的導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗,可實(shí)現(xiàn)高達(dá)99%以上的系統(tǒng)效率。
  2. 高頻操作能力支持 MHz 級(jí)別的開關(guān)頻率,減少磁性元件的尺寸。
  3. 內(nèi)置 ESD 保護(hù)功能以提高可靠性。
  4. 具備快速短路保護(hù)機(jī)制,增強(qiáng)在異常條件下的安全性。
  5. 小型化的芯片級(jí)封裝(CSP),節(jié)省 PCB 空間。
  6. 出色的熱管理性能,確保高溫環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行。
  7. 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn),適用于汽車級(jí)應(yīng)用。

應(yīng)用

1. 高效 DC-DC 轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)。
  2. 圖騰柱無橋 PFC 電路。
  3. 快速充電適配器和移動(dòng)電源。
  4. 激光雷達(dá)驅(qū)動(dòng)器。
  5. 無線功率傳輸模塊。
  6. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)與控制。
  7. 新能源汽車車載充電器(OBC)及逆變器。
  8. 數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源單元(PSU)。

替代型號(hào)

GAN041-650WSA, EPC2045, GS66508T

ga0402y123kxjap31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容0.012 μF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定16V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 長 x 0.020" 寬(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.024"(0.60mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-