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GA0402Y151MXBAC31G 發(fā)布時間 時間�2025/6/3 23:35:48 查看 閱讀�9

GA0402Y151MXBAC31G 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)芯片,屬于功率器件類�。該型號具有高開�(guān)速度、低導通電阻和出色的熱�(wěn)定性等特點,廣泛應用于各種需要高效能功率�(zhuǎn)換的場景。此器件采用先進的制造工�,使其在小型化封裝的同時保持了卓越的電氣性能�
  該型號通常用于直流-直流�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動器、負載開�(guān)以及電池保護電路等應用中,能夠提供穩(wěn)定的電流輸出并減少能量損��

參數(shù)

類型:MOSFET
  工作電壓�30V
  連續(xù)漏極電流�10A
  導通電阻:4.5mΩ
  柵極電荷�15nC
  開關(guān)速度:快�
  封裝形式:TO-263
  工作溫度范圍�-55℃至150�

特�

GA0402Y151MXBAC31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導通電阻(4.5mΩ�,從而顯著降低了功率損��
  2. 高效的熱管理�(shè)�,能夠在較高的環(huán)境溫度下�(wěn)定運��
  3. 快速開�(guān)能力,支持高頻操�,適用于�(xiàn)代高效的電源管理系統(tǒng)�
  4. 高可靠性與堅固�,適合工�(yè)和汽車級別的應用�(huán)境�
  5. 小型化封�,便于集成到空間受限的設(shè)計中�

應用

這款芯片的主要應用場景包括:
  1. 開關(guān)電源中的同步整流��
  2. 便攜式電子設(shè)備中的負載開�(guān)�
  3. 汽車電子系統(tǒng)中的電池保護和電機驅(qū)動控��
  4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的電源管理和信號切換�
  5. 通信�(shè)備中的高� DC-DC �(zhuǎn)換模��

替代型號

GA0402Y151MXBAE31G, IRF540N, FDP5502

ga0402y151mxbac31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容150 pF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • 應用汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0402�1005 公制�
  • 大小 / 尺寸0.039" � x 0.020" 寬(1.00mm x 0.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.024"�0.60mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-