GA0402Y332JXAAP31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效率功率晶體�,專為高頻開�(guān)應用設計。該型號屬于 GaN Systems 的增強型 E-Mode 晶體管系�,具有低導通電阻和快速開�(guān)特性,適用于電源轉(zhuǎn)�、無線充電、DC-DC �(zhuǎn)換器和電機驅(qū)動等應用場景�
該芯片采用標準表面貼裝封�,易于集成到�(xiàn)有的 PCB 設計中,并具備出色的熱性能和電氣性能�
額定電壓�650V
連續(xù)漏極電流�2A
導通電阻:33mΩ
柵極電荷�30nC
反向恢復電荷:無
最大工作溫度范圍:-40� � +125�
封裝形式:LFPAK8
GA0402Y332JXAAP31G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,能夠降低傳導損耗,提高系統(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)速度,減少開�(guān)損耗,非常適合高頻應用�
3. 增強模式(E-Mode)設計,無需復雜的柵極驅(qū)動電路即可實�(xiàn)簡單且可靠的控制�
4. �(nèi)置保護功能,包括過流保護和短路保�,提高了系統(tǒng)的魯棒��
5. 高功率密度,支持更緊湊的設計,同時減少散熱需��
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且可靠�
這款 GaN 功率晶體管廣泛應用于以下�(lǐng)域:
1. 電源適配器和快充設備,提供更高的效率和更快的充電速度�
2. �(shù)�(jù)中心電源,滿足高性能計算對高效能電源的需��
3. 新能源汽車中� DC-DC �(zhuǎn)換器和車載充電器,提升電動車的能源利用效��
4. 工業(yè)自動化設備中的電機驅(qū)動器,支持精確的運動控制�
5. 可再生能源系�(tǒng)中的逆變�,例如太陽能�(fā)電系�(tǒng),優(yōu)化能量轉(zhuǎn)換過程�
GS66502B, TX6502AE