GA0402Y561JXBAC31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)動和�(fù)載切換等場景。該器件采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能�
這款功率MOSFET為N溝道增強(qiáng)型器�,適用于要求高效能和低損耗的�(yīng)用環(huán)境。其�(shè)計注重優(yōu)化靜�(tài)和動�(tài)特�,能夠顯著提高系�(tǒng)的整體效��
型號:GA0402Y561JXBAC31G
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電壓:60V
最大連續(xù)漏極電流�40A
�(dǎo)通電阻:2.5mΩ(典型值)
柵極電荷�35nC(典型值)
開關(guān)速度:快速開�(guān)
工作溫度范圍�-55℃至+175�
封裝形式:TO-247
GA0402Y561JXBAC31G具備以下�(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于降低�(dǎo)通損耗并提升系統(tǒng)效率�
2. 高速開�(guān)能力,減少開�(guān)損�,非常適合高頻應(yīng)��
3. 出色的熱�(wěn)定�,能夠在高溫�(huán)境下保持可靠�(yùn)��
4. �(qiáng)大的電流承載能力,確保在大電流應(yīng)用場景中的可靠��
5. 良好的靜電防�(hù)�(shè)計,提高了器件的魯棒��
6. 采用�(biāo)�(zhǔn)TO-247封裝,便于安裝與散熱�(shè)��
這些特性使得GA0402Y561JXBAC31G成為眾多工業(yè)和消�(fèi)類電子產(chǎn)品的理想選擇�
該功率MOSFET芯片可廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS�,包括適配器和充電器�
2. 電機(jī)�(qū)�,如直流無刷電機(jī)控制�
3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載切換�
4. 汽車電子系統(tǒng),例如電池管理系�(tǒng)(BMS)和電動助力�(zhuǎn)向(EPS��
5. 可再生能源系�(tǒng)中的功率�(zhuǎn)換模�,如太陽能逆變器�
6. 各類需要高效功率控制的電路�(shè)��
其強(qiáng)大的性能和可靠性使其成為現(xiàn)代電力電子應(yīng)用的理想解決方案�
IRFZ44N
STP40NF06L
FDP047N06L