GA0402Y682MXAAC31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻、高開(kāi)關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能。該器件廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、消費(fèi)類電子設(shè)備等領(lǐng)域。其設(shè)計(jì)旨在提高效率并降低功耗,適用于需要高頻開(kāi)關(guān)和低損耗的應(yīng)用場(chǎng)景。
該芯片封裝形式緊湊,適合高密度電路板設(shè)計(jì),同時(shí)具備強(qiáng)大的電流承載能力,能夠在惡劣的工作環(huán)境下保持穩(wěn)定運(yùn)行。
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電壓(Vds):60V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):160A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):2.2mΩ
柵極電荷(Qg):75nC
總電容(Ciss):4280pF
工作溫度范圍:-55℃ to +175℃
封裝形式:TO-247-3
GA0402Y682MXAAC31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)),有助于減少傳導(dǎo)損耗并提升整體效率。
2. 快速開(kāi)關(guān)能力,支持高頻應(yīng)用。
3. 高電流處理能力,確保在大負(fù)載條件下可靠運(yùn)行。
4. 良好的熱穩(wěn)定性,能夠在高溫環(huán)境中維持性能。
5. 小型化封裝,節(jié)省PCB空間。
6. 高可靠性設(shè)計(jì),符合工業(yè)級(jí)和汽車級(jí)應(yīng)用需求。
這些特性使得該器件非常適合用于高效能轉(zhuǎn)換器、逆變器、DC/DC變換器等應(yīng)用領(lǐng)域。
GA0402Y682MXAAC31G 主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS) 和 DC/DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開(kāi)關(guān)。
2. 電動(dòng)工具和家用電器中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制。
3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)。
4. 新能源汽車中的電池管理系統(tǒng)(BMS)和逆變器。
5. 太陽(yáng)能逆變器及儲(chǔ)能系統(tǒng)的功率調(diào)節(jié)。
由于其出色的性能表現(xiàn),這款MOSFET芯片成為許多高要求應(yīng)用場(chǎng)景的理想選擇。
IRFP2907ZPBF, FDP18N65CZ