GA0402Y822MXXAP31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技術的高效率功率晶體管。該器件適用于高頻開關應�,例如電源適配器、無線充電設備、LED驅動器以及各類高效能DC-DC轉換器等。其采用增強型常閉結構設計(E-Mode�,確保在默認狀�(tài)下處于關閉狀�(tài),從而提升系�(tǒng)的安全性和可靠��
相比傳統(tǒng)的硅基MOSFET,此款GaN晶體管具有更低的導通電阻和更快的開關速度,能夠顯著減少開關損耗并提高整體效率�
型號:GA0402Y822MXXAP31G
類型:GaN HEMT
工作電壓�650V
持續(xù)電流�4A
導通電阻:22mΩ
柵極電荷�25nC
最大工作溫度:175°C
封裝形式:PQFN5*6
GA0402Y822MXXAP31G 具備出色的高頻性能,能夠在MHz級別的開關頻率下運行,同時保持較低的開關損耗。得益于其低導通電阻特�,該器件非常適合用于高電流密度的應用場景,并且能夠有效降低熱管理難度�
此外,它還集成了全面的保護功能,包括過溫關斷、過流限制以及短路保護等,進一步增強了�(chǎn)品的耐用性和安全��
由于采用了先進的PQFN封裝工藝,這款GaN晶體管不僅具備良好的散熱性能,而且體積小巧,有助于簡化電路板布局設計,滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品對小型化的需��
GA0402Y822MXXAP31G 廣泛應用于各種需要高效率和高頻響應的領域,典型應用包括快充適配器、服務器電源、電動汽車車載充電器(OBC�、光伏逆變�、LED照明系統(tǒng)及無線充電模塊等�
在快充適配器�,該器件可實�(xiàn)超過95%的轉換效率,同時支持更高功率密度的設�。而在無線充電領域,其快速開關能力可以幫助構建高效的諧振電路,從而優(yōu)化充電體��
GAN041-650WSA
GAN20T650HS-G
IRGB4064DPBF