GA0603A101JBAAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于高效率電源轉(zhuǎn)換場(chǎng)�。該芯片采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝,具有低導(dǎo)通電�、快速開�(guān)速度和出色的熱性能,廣泛用于工�(yè)、通信和消�(fèi)類電子設(shè)備中的開�(guān)電源(SMPS�、DC-DC�(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)�(dòng)等領(lǐng)域�
這款芯片通過�(yōu)化的溝道�(jié)�(gòu)�(shè)�(jì),能夠在高頻工作條件下提供卓越的能效表現(xiàn),同�(shí)具備良好的抗電磁干擾能力,確保系�(tǒng)�(yùn)行的�(wěn)定性�
類型:功率MOSFET
封裝形式:TO-247
Vds(漏源極耐壓):60V
Rds(on)(導(dǎo)通電�,典型值)�1.5mΩ
Id(連續(xù)漏極電流):100A
Qg(柵極電荷)�45nC
f(工作頻率):高�(dá)500kHz
�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
GA0603A101JBAAT31G 具有以下顯著特點(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于減少導(dǎo)通損�,提高整體效率�
2. 快速的開關(guān)速度和較低的柵極電荷(Qg�,適合高頻應(yīng)用環(huán)境�
3. �(qiáng)大的電流承載能力(Id可達(dá)100A�,支持大功率�(fù)��
4. 高耐壓性能(Vds�60V�,能夠承受更高的電壓波動(dòng)�
5. 出色的熱管理�(shè)�(jì),保證在高溫�(huán)境下仍能�(wěn)定運(yùn)��
6. 封裝形式�(jiān)固耐用,便于散熱及安裝,適用于多種�(yīng)用場(chǎng)��
該芯片廣泛應(yīng)用于以下幾�(gè)�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(Switching Mode Power Supplies, SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路
4. 太陽(yáng)能逆變�
5. 工業(yè)自動(dòng)化控制設(shè)�
6. 電動(dòng)車充電模�
7. 通信電源系統(tǒng)
由于其高效能和高可靠性,GA0603A101JBAAT31G 成為許多高要求應(yīng)用場(chǎng)合的理想選擇�
GA0603A101JBAAT21G
IRFP2907
FDP18N60C
STW13NM60K