GA0603A121KBBAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應用于電源管理、電機驅動和開關電源等領�。該芯片采用先進的半導體制造工�,具備高耐壓、低導通電阻以及快速開關速度等特�。它適用于需要高效能功率轉換的應用場景�
最大漏源電壓:60V
最大連續(xù)漏極電流�3A
導通電阻:121mΩ
柵極電荷�15nC
開關時間:開通延遲時� 12ns,關斷延遲時� 18ns
工作溫度范圍�-55� � +150�
GA0603A121KBBAR31G 具有以下顯著特性:
1. 高擊穿電壓設�,能夠承受高� 60V 的漏源電壓,確保在高壓環(huán)境下�(wěn)定運��
2. 極低的導通電阻(121mΩ�,減少功率損耗并提高效率�
3. 快速開關性能,柵極電荷僅� 15nC,使得其非常適合高頻應用�
4. 寬工作溫度范�,支持從 -55� � +150� 的極端環(huán)境條��
5. 小型化封裝設計,便于 PCB 布局與散熱管��
6. 高可靠性及長壽命,適合工業(yè)級或汽車級應用需��
這款芯片主要應用于各種需要高效功率轉換的場合,例如直�-直流轉換�、LED 驅動電路、電機驅動電�、負載開�、電池保護電路等。此�,由于其�(yōu)異的電氣性能和穩(wěn)定�,也常被用于便攜式設�、通信設備以及消費類電子產品中�
GA0603A121KBBAR29G
IRF540N
FDP5573
AOD510
AO3400