GA0603A150FBAAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET,主要用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和 DC-DC 轉(zhuǎn)換等應(yīng)用。該器件采用了先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點(diǎn),能夠顯著提高系統(tǒng)效率并降低功耗。
該芯片屬于 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET,具有出色的熱性能和可靠性,適合在高電流和高頻應(yīng)用場(chǎng)景中使用。
型號(hào):GA0603A150FBAAR31G
類型:N溝道增強(qiáng)型 MOSFET
最大漏源電壓 VDS:60V
最大柵源電壓 VGS:±20V
連續(xù)漏極電流 ID:150A
脈沖漏極電流 Ibm:300A
導(dǎo)通電阻 Rds(on):1.5mΩ(典型值,在 VGS=10V 時(shí))
柵極電荷 Qg:98nC(典型值)
輸入電容 Ciss:4000pF(典型值)
輸出電容 Coff:780pF(典型值)
反向恢復(fù)時(shí)間 trr:95ns(典型值)
工作溫度范圍 Tj:-55°C 至 +175°C
GA0603A150FBAAR31G 的主要特性包括:導(dǎo)通電阻 (Rds(on)),能夠有效減少導(dǎo)通損耗,提升系統(tǒng)效率。
2. 高額定電流能力 (150A),適用于高功率密度的應(yīng)用場(chǎng)景。
3. 快速開關(guān)性能,具備較低的柵極電荷和反向恢復(fù)時(shí)間,減少了開關(guān)損耗。
4. 具有出色的熱穩(wěn)定性,能夠在高溫環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行。
5. 小封裝設(shè)計(jì),節(jié)省電路板空間,同時(shí)保持良好的散熱性能。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且安全可靠多種保護(hù)功能,例如過流保護(hù)和短路保護(hù),增強(qiáng)了系統(tǒng)的安全性。
GA0603A150FBAAR31G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 和 AC-DC 轉(zhuǎn)換器。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制,如無刷直流電機(jī) (BLDC) 和步進(jìn)電機(jī)。
3. 電動(dòng)汽車 (EV) 和混合動(dòng)力汽車 (HEV) 的電池管理系統(tǒng) (BMS)。
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換模塊。
5. 高頻 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和逆變器。
6. 太陽能逆變器和其他可再生能源相關(guān)應(yīng)用。
7. 通信電源和服務(wù)器電源模塊。
GA0603A150FBAAR31G, IRFP2907ZPBF, FDP150AN6SBD