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GA0603A150GBAAR31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/6/5 20:20:08 查看 閱讀:10

GA0603A150GBAAR31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的高性能功率晶體管。該器件采用先進(jìn)的 GaN 工藝制造,具有高開關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),適用于高頻開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、逆變器等應(yīng)用領(lǐng)域。
  這款芯片在設(shè)計(jì)上結(jié)合了傳統(tǒng)硅基 MOSFET 和 GaN 的優(yōu)勢(shì),能夠顯著降低功耗并提升系統(tǒng)性能。

參數(shù)

型號(hào):GA0603A150GBAAR31G
  類型:GaN 功率晶體管
  封裝:QFN 8x8mm
  額定電壓:600V
  額定電流:30A
  導(dǎo)通電阻:150mΩ
  柵極電荷:9nC
  反向恢復(fù)時(shí)間:無(wú)(GaN 特性)
  工作溫度范圍:-40℃ 至 +125℃

特性

GA0603A150GBAAR31G 具有以下關(guān)鍵特性:
  1. 高開關(guān)頻率支持,可達(dá)到 MHz 級(jí)別,適合高頻應(yīng)用環(huán)境。
  2. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于減少傳導(dǎo)損耗。
  3. 減少了寄生電感效應(yīng),提升了整體效率。
  4. 內(nèi)置保護(hù)功能,如過流保護(hù)和短路保護(hù),提高了系統(tǒng)的可靠性。
  5. 小型化封裝設(shè)計(jì),有利于 PCB 布局優(yōu)化。
  6. 高溫穩(wěn)定性,能夠在惡劣環(huán)境下正常運(yùn)行。

應(yīng)用

該器件廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)設(shè)計(jì)中的功率級(jí)。
  2. 數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源模塊。
  3. 太陽(yáng)能逆變器的核心功率轉(zhuǎn)換部分。
  4. 電動(dòng)汽車充電設(shè)備的高頻 DC-DC 轉(zhuǎn)換電路。
  5. 工業(yè)自動(dòng)化控制系統(tǒng)的高效驅(qū)動(dòng)電路。
  6. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品的小型化適配器設(shè)計(jì)。

替代型號(hào)

GAN060-150B,
  IRG7S40K,
  STGAP150

ga0603a150gbaar31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)停產(chǎn)
  • 電容15 pF
  • 容差±2%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 長(zhǎng) x 0.031" 寬(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"(0.97mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-