GA0603A150GBAAR31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的高性能功率晶體管。該器件采用先進(jìn)的 GaN 工藝制造,具有高開關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),適用于高頻開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、逆變器等應(yīng)用領(lǐng)域。
這款芯片在設(shè)計(jì)上結(jié)合了傳統(tǒng)硅基 MOSFET 和 GaN 的優(yōu)勢(shì),能夠顯著降低功耗并提升系統(tǒng)性能。
型號(hào):GA0603A150GBAAR31G
類型:GaN 功率晶體管
封裝:QFN 8x8mm
額定電壓:600V
額定電流:30A
導(dǎo)通電阻:150mΩ
柵極電荷:9nC
反向恢復(fù)時(shí)間:無(wú)(GaN 特性)
工作溫度范圍:-40℃ 至 +125℃
GA0603A150GBAAR31G 具有以下關(guān)鍵特性:
1. 高開關(guān)頻率支持,可達(dá)到 MHz 級(jí)別,適合高頻應(yīng)用環(huán)境。
2. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于減少傳導(dǎo)損耗。
3. 減少了寄生電感效應(yīng),提升了整體效率。
4. 內(nèi)置保護(hù)功能,如過流保護(hù)和短路保護(hù),提高了系統(tǒng)的可靠性。
5. 小型化封裝設(shè)計(jì),有利于 PCB 布局優(yōu)化。
6. 高溫穩(wěn)定性,能夠在惡劣環(huán)境下正常運(yùn)行。
該器件廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)設(shè)計(jì)中的功率級(jí)。
2. 數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源模塊。
3. 太陽(yáng)能逆變器的核心功率轉(zhuǎn)換部分。
4. 電動(dòng)汽車充電設(shè)備的高頻 DC-DC 轉(zhuǎn)換電路。
5. 工業(yè)自動(dòng)化控制系統(tǒng)的高效驅(qū)動(dòng)電路。
6. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品的小型化適配器設(shè)計(jì)。
GAN060-150B,
IRG7S40K,
STGAP150