GA0603A151FBAAT31G 是一款高性能的 MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),適用于高頻開關(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性,能夠顯著提升電路效率并減少功耗。
此型號(hào)屬于 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET,廣泛應(yīng)用于電源管理、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
額定電壓:60V
額定電流:30A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.5mΩ(典型值,在 Vgs=10V 下)
柵極電荷:49nC(最大值)
輸入電容:1850pF
工作溫度范圍:-55°C 至 +175°C
封裝形式:TO-247-3
GA0603A151FBAAT31G 的主要特點(diǎn)是其超低的導(dǎo)通電阻和高效的開關(guān)性能。這些特點(diǎn)使其在高功率密度的應(yīng)用中表現(xiàn)出色:
1. 低導(dǎo)通電阻:典型值僅為 1.5mΩ,可大幅降低傳導(dǎo)損耗。
2. 快速開關(guān)速度:得益于低柵極電荷設(shè)計(jì),能有效減少開關(guān)損耗。
3. 高溫穩(wěn)定性:支持最高結(jié)溫達(dá) 175°C,確保在極端條件下的可靠性。
4. 熱性能優(yōu)越:采用 TO-247-3 封裝,散熱能力突出,適合大功率場(chǎng)景。
5. 高雪崩耐量:具備較強(qiáng)的抗浪涌能力,增強(qiáng)了器件的耐用性。
該 MOSFET 廣泛用于需要高效功率轉(zhuǎn)換和開關(guān)的場(chǎng)合:
1. 開關(guān)電源 (SMPS):如 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng):包括無刷直流電機(jī)和步進(jìn)電機(jī)控制。
3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備:例如伺服控制器和逆變器。
4. 通信基礎(chǔ)設(shè)施:用于基站功率放大器和電源模塊。
5. 新能源領(lǐng)域:太陽能逆變器、電動(dòng)車充電器等對(duì)功率效率要求較高的系統(tǒng)。
GA0603A151FBAAT31H, GA0603A151FBAAT31J