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GA0603A151FBAAT31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/24 10:54:22 查看 閱讀:16

GA0603A151FBAAT31G 是一款高性能的 MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),適用于高頻開關(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性,能夠顯著提升電路效率并減少功耗。
  此型號(hào)屬于 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET,廣泛應(yīng)用于電源管理、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。

參數(shù)

類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  額定電壓:60V
  額定電流:30A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.5mΩ(典型值,在 Vgs=10V 下)
  柵極電荷:49nC(最大值)
  輸入電容:1850pF
  工作溫度范圍:-55°C 至 +175°C
  封裝形式:TO-247-3

特性

GA0603A151FBAAT31G 的主要特點(diǎn)是其超低的導(dǎo)通電阻和高效的開關(guān)性能。這些特點(diǎn)使其在高功率密度的應(yīng)用中表現(xiàn)出色:
  1. 低導(dǎo)通電阻:典型值僅為 1.5mΩ,可大幅降低傳導(dǎo)損耗。
  2. 快速開關(guān)速度:得益于低柵極電荷設(shè)計(jì),能有效減少開關(guān)損耗。
  3. 高溫穩(wěn)定性:支持最高結(jié)溫達(dá) 175°C,確保在極端條件下的可靠性。
  4. 熱性能優(yōu)越:采用 TO-247-3 封裝,散熱能力突出,適合大功率場(chǎng)景。
  5. 高雪崩耐量:具備較強(qiáng)的抗浪涌能力,增強(qiáng)了器件的耐用性。

應(yīng)用

該 MOSFET 廣泛用于需要高效功率轉(zhuǎn)換和開關(guān)的場(chǎng)合:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS):如 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
  2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng):包括無刷直流電機(jī)和步進(jìn)電機(jī)控制。
  3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備:例如伺服控制器和逆變器。
  4. 通信基礎(chǔ)設(shè)施:用于基站功率放大器和電源模塊。
  5. 新能源領(lǐng)域:太陽能逆變器、電動(dòng)車充電器等對(duì)功率效率要求較高的系統(tǒng)。

替代型號(hào)

GA0603A151FBAAT31H, GA0603A151FBAAT31J

ga0603a151fbaat31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容150 pF
  • 容差±1%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 長(zhǎng) x 0.031" 寬(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"(0.97mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-