GA0603A151KBBAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等領(lǐng)�。該芯片采用了先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),從而提高了系統(tǒng)的效率和�(wěn)定��
該器件支持高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用,并且具備良好的熱性能,能夠在較高的結(jié)溫下�(wěn)定工�,非常適合需要高效能和小尺寸解決方案的應(yīng)用場(chǎng)��
型號(hào):GA0603A151KBBAT31G
類型:N-Channel Enhancement Mode MOSFET
漏源極電�(Vdss)�60V
連續(xù)漏極電流(Id)�3.2A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�15mΩ
柵極電荷(Qg)�14nC
�(kāi)�(guān)頻率:高�(dá) 1MHz
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
封裝形式:TO-252(DPAK)
GA0603A151KBBAT31G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)) 確保了更少的傳導(dǎo)損耗,適合高效能設(shè)�(jì)�
2. 高速開(kāi)�(guān)能力,可支持高達(dá) 1MHz 的開(kāi)�(guān)頻率,滿足高頻應(yīng)用需��
3. 采用 TO-252 封裝,便于安裝和散熱�
4. 良好的熱�(wěn)定�,能夠在較寬的溫度范圍內(nèi)正常工作�
5. 提供�(yōu)異的� ESD 性能,確保更高的可靠��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)�(jì)�
這些特性使其在各類功率�(zhuǎn)換和�(qū)�(dòng)�(yīng)用中表現(xiàn)出色�
GA0603A151KBBAT31G 主要用于以下�(yīng)用場(chǎng)景:
1. �(kāi)�(guān)電源 (Switching Power Supplies)
2. DC-DC �(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路
4. 電池管理與保�(hù)系統(tǒng)
5. 汽車電子控制單元 (ECU)
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模�
7. 各類便攜式設(shè)備的充電管理系統(tǒng)
由于其高效能和高可靠�,該芯片適用于從消費(fèi)電子到工�(yè)�(jí)�(yīng)用的多種�(lǐng)��
GA0603A151KBBAT31H, IRFZ44N, FDP150N06L