GA0603A1R0CBBAR31G 是一款高性能� MOSFET 功率晶體�,專為高效率開關(guān)�(yīng)用設(shè)�。該器件采用先進的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)性能,適用于多種電力電子�(yīng)用場��
該型號屬于溝道增強型 MOSFET,具有出色的熱穩(wěn)定性和電氣特�,適合要求高可靠性和高效能的�(shè)計環(huán)��
類型:MOSFET
極性:N-Channel
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�35A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�1.0mΩ
總功�(Ptot)�270W
工作溫度范圍�-55� to +175�
封裝形式:TO-247
GA0603A1R0CBBAR31G 的主要特點是低導(dǎo)通電� (Rds(on)) 和高效率的開�(guān)性能。這使得其在功率轉(zhuǎn)換電路中表現(xiàn)出較低的功耗和更少的發(fā)��
該器件還具有快速開�(guān)能力,能夠有效減少開�(guān)損�,并提高整體系統(tǒng)效率。此�,它具備出色的雪崩能量承受能力和靜電防護能力,確保了在惡劣環(huán)境下工作的可靠��
� TO-247 封裝形式提供了良好的散熱性能,支持大電流操作和長時間�(wěn)定運��
這款 MOSFET 廣泛�(yīng)用于 DC/DC �(zhuǎn)換器、電機驅(qū)�、電源管理模塊以及各種工�(yè)控制�(shè)備中�
典型的應(yīng)用場景包括不間斷電源 (UPS) 系統(tǒng)、太陽能逆變�、電動車輛牽引逆變器等需要高效功率轉(zhuǎn)換和控制的領(lǐng)域�
由于其高電流承載能力和低�(dǎo)通電�,它也非常適合用于大功率負載切換和保護電��
GA0603A1R0CCBAR31G, IRF540N, FDP55N06L