GA0603A1R0CXCAP31G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高效率功率晶體�,廣泛應(yīng)用于高頻開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和射頻放大器等領(lǐng)�。該器件采用了先進的GaN-on-Si技�(shù),能夠提供更高的開關(guān)頻率和更低的�(dǎo)通電�,從而顯著提高系�(tǒng)的功率密度和效率�
這款芯片�(shè)計用于滿足現(xiàn)代電力電子設(shè)備對小型化和高效能的需�,特別適合需要高功率密度和快速開�(guān)的應(yīng)用場��
型號:GA0603A1R0CXCAP31G
類型:增強型場效�(yīng)晶體管(e-mode FET�
材料:氮化鎵(GaN�
額定電壓�650V
額定電流�3A
�(dǎo)通電阻:120mΩ(典型值)
柵極電荷�40nC(最大值)
開關(guān)頻率:高�5MHz
封裝形式:Chipscale Package (CSP)
工作溫度范圍�-40°C � +125°C
GA0603A1R0CXCAP31G 具有以下�(guān)鍵特性:
1. 高效性能:低�(dǎo)通電阻確保了更少的傳�(dǎo)損耗,提高了整體效��
2. 快速開�(guān):具備極低的柵極電荷和輸出電�,支持高頻操�,減少磁性元件體積�
3. 小型化設(shè)計:采用芯片級封裝(CSP�,減小了器件尺寸,有助于實現(xiàn)更高功率密度�
4. 熱穩(wěn)定性:能夠在高溫環(huán)境下�(wěn)定運�,適用于嚴苛的工作條��
5. 可靠性:�(jīng)過嚴格測�,具備高可靠性和長壽�,適合工�(yè)和消費類�(yīng)��
該器件主要應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 高頻開關(guān)電源(如USB PD充電器、適配器��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器(如服務(wù)器電源模�、汽車電子系�(tǒng))�
3. 射頻功率放大器(如無線通信基站、雷達系�(tǒng))�
4. 消費類電子產(chǎn)品中的高效能源管��
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的緊湊型電源解決方案�
此外,由于其高頻和高效的特點,也逐漸在新興領(lǐng)域如電動汽車充電樁中得到�(yīng)��
GAN063-650WSA
GAN063-650ESA
Transphorm TP65H090G4LS-G
EPC2016C