GA0603A220GBBAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于高頻開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)�(dòng)等領(lǐng)域。該芯片采用先�(jìn)的溝槽式工藝制�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)的效率和可靠��
這款功率 MOSFET 的設(shè)�(jì)旨在滿足高電流密度和低損耗的�(yīng)用需�,特別適用于需要高效能和緊湊設(shè)�(jì)的電子設(shè)��
型號:GA0603A220GBBAR31G
類型:N溝道 MOSFET
封裝:TO-252 (DPAK)
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
最大漏極電�(Id)�32A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�2.2mΩ(在Vgs=10V�(shí)�
柵極電荷(Qg)�47nC
輸入電容(Ciss)�1890pF
反向恢復(fù)�(shí)�(trr)�28ns
工作溫度范圍�-55� � +175�
GA0603A220GBBAR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),可以有效降低導(dǎo)通損耗�
2. 快速的開關(guān)速度,減少了開關(guān)損�,提高了整體效率�
3. 高電流處理能�,支持高�(dá)32A的連續(xù)漏極電流�
4. �(yōu)化的熱性能�(shè)�(jì),使其能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
5. �(nèi)置ESD保護(hù)電路,增�(qiáng)了器件的抗靜電能��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛封��
7. 高雪崩能量能�,提升了系統(tǒng)在異常情況下的可靠��
這些特性使得該芯片成為高頻、高效應(yīng)用的理想選擇�
GA0603A220GBBAR31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器,如降壓或升壓變換器�
3. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)控制�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載開�(guān)�
5. LED�(qū)�(dòng)�,用于照明系�(tǒng)�
6. 太陽能逆變器中的功率轉(zhuǎn)換模塊�
由于其出色的性能,該芯片非常適合需要高效率和高可靠性的電力電子�(yīng)��
GA0603A220GBBAR31GR, IRF2807Z, FDP067N06L