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GA0603A220GBBAR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/30 13:39:49 查看 閱讀�13

GA0603A220GBBAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于高頻開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)�(dòng)等領(lǐng)域。該芯片采用先�(jìn)的溝槽式工藝制�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)的效率和可靠��
  這款功率 MOSFET 的設(shè)�(jì)旨在滿足高電流密度和低損耗的�(yīng)用需�,特別適用于需要高效能和緊湊設(shè)�(jì)的電子設(shè)��

參數(shù)

型號:GA0603A220GBBAR31G
  類型:N溝道 MOSFET
  封裝:TO-252 (DPAK)
  最大漏源電�(Vds)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  最大漏極電�(Id)�32A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�2.2mΩ(在Vgs=10V�(shí)�
  柵極電荷(Qg)�47nC
  輸入電容(Ciss)�1890pF
  反向恢復(fù)�(shí)�(trr)�28ns
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

GA0603A220GBBAR31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),可以有效降低導(dǎo)通損耗�
  2. 快速的開關(guān)速度,減少了開關(guān)損�,提高了整體效率�
  3. 高電流處理能�,支持高�(dá)32A的連續(xù)漏極電流�
  4. �(yōu)化的熱性能�(shè)�(jì),使其能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
  5. �(nèi)置ESD保護(hù)電路,增�(qiáng)了器件的抗靜電能��
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛封��
  7. 高雪崩能量能�,提升了系統(tǒng)在異常情況下的可靠��
  這些特性使得該芯片成為高頻、高效應(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

GA0603A220GBBAR31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器,如降壓或升壓變換器�
  3. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)控制�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載開�(guān)�
  5. LED�(qū)�(dòng)�,用于照明系�(tǒng)�
  6. 太陽能逆變器中的功率轉(zhuǎn)換模塊�
  由于其出色的性能,該芯片非常適合需要高效率和高可靠性的電力電子�(yīng)��

替代型號

GA0603A220GBBAR31GR, IRF2807Z, FDP067N06L

ga0603a220gbbar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • 電容22 pF
  • 容差±2%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0603�1608 公制�
  • 大小 / 尺寸0.063" � x 0.031" 寬(1.60mm x 0.80mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"�0.97mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-