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時(shí)間：2025/6/4 20:03:47
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GA0603A220GBBAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，采用先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝。該芯片主要應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和開關(guān)電路等領(lǐng)域。其設(shè)計(jì)旨在提供高效率、低導(dǎo)通電阻以及快速開關(guān)特性，適合在高頻應(yīng)用中使用。
這款 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型器件，具有出色的熱性能和電氣性能，可顯著提高系統(tǒng)的整體效率和可靠性。
型號(hào)：GA0603A220GBBAT31G
類型：N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電壓(Vdss)：60V
最大柵源電壓(Vgs)：±20V
連續(xù)漏極電流(Id)：31A
導(dǎo)通電阻(Rds(on))：2.2mΩ
柵極電荷(Qg)：58nC
輸入電容(Ciss)：2940pF
開關(guān)速度：快速
封裝形式：TO-247
GA0603A220GBBAT31G 具有以下顯著特性：
1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），能夠有效降低傳導(dǎo)損耗，提升系統(tǒng)效率。
2. 高電流承載能力，支持高達(dá) 31A 的連續(xù)漏極電流，適用于大功率應(yīng)用場(chǎng)景。
3. 快速開關(guān)性能，具備較低的柵極電荷 (Qg)，從而減少開關(guān)損耗。
4. 優(yōu)異的熱穩(wěn)定性，能夠承受較高的結(jié)溫，確保在嚴(yán)苛環(huán)境下的可靠運(yùn)行。
5. 緊湊且堅(jiān)固的 TO-247 封裝，易于安裝并提供良好的散熱性能。
6. 寬工作電壓范圍，適合多種電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。
GA0603A220GBBAT31G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率級(jí)控制。
3. 逆變器和 UPS 系統(tǒng)中的關(guān)鍵功率元件。
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)。
5. 太陽能逆變器和其他可再生能源系統(tǒng)中的功率管理。
6. 電動(dòng)汽車 (EV) 和混合動(dòng)力汽車 (HEV) 中的電池管理系統(tǒng) (BMS) 和電機(jī)控制器。
IRFP2907ZPBF, FDP177N65A, STW85N60DM2
