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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA0603A221FBBAT31G

GA0603A221FBBAT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/20 9:16:42 查看 閱讀�18

GA0603A221FBBAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,采用先�(jìn)的制造工�,適用于高頻�(kāi)�(guān)�(yīng)�。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),適合用� DC-DC �(zhuǎn)換器、電源管理模�、電�(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)��
  該芯片基� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET 技�(shù)�(shè)�(jì),能夠提供出色的�(kāi)�(guān)性能和熱�(wěn)定性,同時(shí)支持表面貼裝封裝形式,便于自�(dòng)化生�(chǎn)和小型化�(shè)�(jì)�

參數(shù)

型號(hào):GA0603A221FBBAT31G
  �(lèi)型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  最大漏源電壓(Vds):60V
  最大柵源電壓(Vgs):±20V
  連續(xù)漏極電流(Id):30A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):2.5mΩ
  總柵極電荷(Qg):45nC
  �(kāi)�(guān)速度:快�
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C
  封裝形式:TO-220F

特�

1. 低導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高整體效率�
  2. 高電流承載能�,支持高�(dá) 30A 的連續(xù)漏極電流�
  3. 快速開(kāi)�(guān)速度,降低開(kāi)�(guān)損耗,適用于高頻應(yīng)用場(chǎng)��
  4. 寬工作溫度范�,確保在極端�(huán)境條件下的可靠性�
  5. 表面貼裝封裝形式,簡(jiǎn)化了 PCB �(shè)�(jì)和生�(chǎn)流程�
  6. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能,增�(qiáng)了芯片的抗靜電能��

�(yīng)�

1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)控制
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)�
  5. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
  6. 太陽(yáng)能逆變�
  7. 汽車(chē)電子中的�(fù)載切�

替代型號(hào)

GA0603A221FBBA、IRFZ44N、STP30NF06L

ga0603a221fbbat31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容220 pF
  • 容差±1%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車(chē)�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0603�1608 公制�
  • 大小 / 尺寸0.063" �(zhǎng) x 0.031" 寬(1.60mm x 0.80mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"�0.97mm�
  • 引線(xiàn)間距-
  • 引線(xiàn)樣式-