GA0603A221FBBAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,采用先�(jìn)的制造工�,適用于高頻�(kāi)�(guān)�(yīng)�。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),適合用� DC-DC �(zhuǎn)換器、電源管理模�、電�(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)��
該芯片基� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET 技�(shù)�(shè)�(jì),能夠提供出色的�(kāi)�(guān)性能和熱�(wěn)定性,同時(shí)支持表面貼裝封裝形式,便于自�(dòng)化生�(chǎn)和小型化�(shè)�(jì)�
型號(hào):GA0603A221FBBAT31G
�(lèi)型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電壓(Vds):60V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):30A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):2.5mΩ
總柵極電荷(Qg):45nC
�(kāi)�(guān)速度:快�
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
封裝形式:TO-220F
1. 低導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高整體效率�
2. 高電流承載能�,支持高�(dá) 30A 的連續(xù)漏極電流�
3. 快速開(kāi)�(guān)速度,降低開(kāi)�(guān)損耗,適用于高頻應(yīng)用場(chǎng)��
4. 寬工作溫度范�,確保在極端�(huán)境條件下的可靠性�
5. 表面貼裝封裝形式,簡(jiǎn)化了 PCB �(shè)�(jì)和生�(chǎn)流程�
6. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能,增�(qiáng)了芯片的抗靜電能��
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)控制
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)�
5. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
6. 太陽(yáng)能逆變�
7. 汽車(chē)電子中的�(fù)載切�
GA0603A221FBBA、IRFZ44N、STP30NF06L