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GA0603A221GBBAT31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/6/3 23:36:24 查看 閱讀:11

GA0603A221GBBAT31G 是一款高性能的存儲(chǔ)芯片,屬于 NAND Flash 類(lèi)型。該芯片主要應(yīng)用于需要大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的場(chǎng)景,例如固態(tài)硬盤(pán)(SSD)、USB 閃存盤(pán)、記憶卡等。它采用先進(jìn)的制造工藝,具有高密度、低功耗和快速讀寫(xiě)速度的特點(diǎn)。該型號(hào)支持多級(jí)單元(MLC)或三級(jí)單元(TLC)技術(shù),能夠有效提升數(shù)據(jù)存儲(chǔ)效率和可靠性。
  該芯片通常具備較強(qiáng)的糾錯(cuò)能力和較長(zhǎng)的數(shù)據(jù)保持時(shí)間,適合在工業(yè)級(jí)和消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品中使用。其封裝形式為標(biāo)準(zhǔn) BGA(球柵陣列),便于集成到各種電子設(shè)備中。

參數(shù)

容量:32GB
  接口類(lèi)型:Toggle DDR 2.0
  工作電壓:1.8V
  數(shù)據(jù)傳輸速率:400MT/s
  擦寫(xiě)壽命:3000 次(TLC)
  封裝形式:BGA
  工作溫度范圍:-25°C 至 +85°C
  引腳數(shù):169

特性

GA0603A221GBBAT31G 的主要特性包括:
  1. 高密度存儲(chǔ)能力,能夠在較小的體積內(nèi)實(shí)現(xiàn)大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
  2. 支持高速數(shù)據(jù)傳輸接口 Toggle DDR 2.0,提供更快的讀寫(xiě)性能。
  3. 采用 TLC 技術(shù),在成本和性能之間取得平衡。
  4. 內(nèi)置 ECC(錯(cuò)誤檢查與糾正)功能,確保數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性和完整性。
  5. 較寬的工作溫度范圍,適用于多種環(huán)境條件下的應(yīng)用。
  6. 良好的兼容性,可輕松集成到現(xiàn)有系統(tǒng)架構(gòu)中。

應(yīng)用

這款芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 固態(tài)硬盤(pán)(SSD)
  2. USB 閃存盤(pán)
  3. 記憶卡(如 microSD 卡、SD 卡等)
  4. 工業(yè)控制設(shè)備中的數(shù)據(jù)記錄模塊
  5. 消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品(如平板電腦、智能手機(jī)等)中的存儲(chǔ)擴(kuò)展
  6. 網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)設(shè)備(NAS)
  7. 嵌入式系統(tǒng)的本地存儲(chǔ)解決方案

替代型號(hào)

GA0603A161GBBAT31G, GA0603A321GBBAT31G

ga0603a221gbbat31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容220 pF
  • 容差±2%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車(chē)級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類(lèi)型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 長(zhǎng) x 0.031" 寬(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"(0.97mm)
  • 引線(xiàn)間距-
  • 引線(xiàn)樣式-