GA0603A221GBBAT31G 是一款高性能的存儲(chǔ)芯片,屬于 NAND Flash 類(lèi)型。該芯片主要應(yīng)用于需要大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的場(chǎng)景,例如固態(tài)硬盤(pán)(SSD)、USB 閃存盤(pán)、記憶卡等。它采用先進(jìn)的制造工藝,具有高密度、低功耗和快速讀寫(xiě)速度的特點(diǎn)。該型號(hào)支持多級(jí)單元(MLC)或三級(jí)單元(TLC)技術(shù),能夠有效提升數(shù)據(jù)存儲(chǔ)效率和可靠性。
該芯片通常具備較強(qiáng)的糾錯(cuò)能力和較長(zhǎng)的數(shù)據(jù)保持時(shí)間,適合在工業(yè)級(jí)和消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品中使用。其封裝形式為標(biāo)準(zhǔn) BGA(球柵陣列),便于集成到各種電子設(shè)備中。
容量:32GB
接口類(lèi)型:Toggle DDR 2.0
工作電壓:1.8V
數(shù)據(jù)傳輸速率:400MT/s
擦寫(xiě)壽命:3000 次(TLC)
封裝形式:BGA
工作溫度范圍:-25°C 至 +85°C
引腳數(shù):169
GA0603A221GBBAT31G 的主要特性包括:
1. 高密度存儲(chǔ)能力,能夠在較小的體積內(nèi)實(shí)現(xiàn)大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
2. 支持高速數(shù)據(jù)傳輸接口 Toggle DDR 2.0,提供更快的讀寫(xiě)性能。
3. 采用 TLC 技術(shù),在成本和性能之間取得平衡。
4. 內(nèi)置 ECC(錯(cuò)誤檢查與糾正)功能,確保數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性和完整性。
5. 較寬的工作溫度范圍,適用于多種環(huán)境條件下的應(yīng)用。
6. 良好的兼容性,可輕松集成到現(xiàn)有系統(tǒng)架構(gòu)中。
這款芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 固態(tài)硬盤(pán)(SSD)
2. USB 閃存盤(pán)
3. 記憶卡(如 microSD 卡、SD 卡等)
4. 工業(yè)控制設(shè)備中的數(shù)據(jù)記錄模塊
5. 消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品(如平板電腦、智能手機(jī)等)中的存儲(chǔ)擴(kuò)展
6. 網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)設(shè)備(NAS)
7. 嵌入式系統(tǒng)的本地存儲(chǔ)解決方案
GA0603A161GBBAT31G, GA0603A321GBBAT31G