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GA0603A3R3CBAAR31G 發(fā)布時間 時間:2025/5/31 0:09:56 查看 閱讀:15

GA0603A3R3CBAAR31G 是一種基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT)。該器件專為高頻和高功率應(yīng)用設(shè)計,具有出色的開關(guān)性能和效率。其封裝形式和電氣特性使其非常適合于射頻放大器、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及其他需要高頻率、低損耗的應(yīng)用場景。
  該型號中的具體參數(shù)定義如下:'GA'代表氮化鎵系列,'0603'表示芯片尺寸或規(guī)格代碼,'A3R3'與后續(xù)字符共同確定了具體的電氣參數(shù)、封裝類型及工作條件。

參數(shù)

額定電壓:100V
  額定電流:4A
  導(dǎo)通電阻:25mΩ
  柵極電荷:30nC
  開關(guān)速度:高達(dá)5MHz
  封裝形式:CBAAR31G

特性

GA0603A3R3CBAAR31G 的主要特點是采用了先進(jìn)的氮化鎵半導(dǎo)體材料,這使得它在高頻和高功率密度應(yīng)用中表現(xiàn)出色。與傳統(tǒng)的硅基MOSFET相比,氮化鎵晶體管具備更低的導(dǎo)通電阻和更快的開關(guān)速度,從而減少了開關(guān)損耗并提升了整體效率。
  此外,該器件還具有較高的擊穿電壓和良好的熱穩(wěn)定性,能夠在嚴(yán)苛的工作條件下保持穩(wěn)定運(yùn)行。其緊湊的封裝形式也便于集成到各種電路設(shè)計中。
  典型優(yōu)勢包括:
  - 高效的功率轉(zhuǎn)換
  - 更快的開關(guān)速度
  - 減少的系統(tǒng)體積和重量
  - 支持高頻操作
  - 穩(wěn)定的電氣性能

應(yīng)用

該型號廣泛應(yīng)用于多種現(xiàn)代電子設(shè)備中,包括但不限于:
  1. 射頻功率放大器
  2. DC-DC轉(zhuǎn)換器
  3. 無線充電模塊
  4. 激光雷達(dá)(LiDAR)驅(qū)動電路
  5. 能量收集系統(tǒng)
  6. 快速充電適配器
  這些應(yīng)用場景充分利用了該器件的高頻響應(yīng)能力和高效率特性,使其成為高性能電源管理和信號處理的理想選擇。

替代型號

GA0603A3R3CBXAR31G
  GA0603A3R3CBSAR31G

ga0603a3r3cbaar31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價格停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)停產(chǎn)
  • 電容3.3 pF
  • 容差±0.25pF
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 長 x 0.031" 寬(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"(0.97mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-