時間：2025/5/29 3:21:39
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GA0603A560FBBAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，采用先進(jìn)的制造工藝，主要應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動和負(fù)載開關(guān)等場景。該芯片具有低導(dǎo)通電阻、高效率和高可靠性的特點(diǎn)，適合需要高效能量轉(zhuǎn)換和低功耗的應(yīng)用環(huán)境。
這款芯片在設(shè)計上注重散熱性能和電氣性能的優(yōu)化，能夠有效降低系統(tǒng)能耗并提升整體性能。
型號：GA0603A560FBBAT31G
類型：N-Channel MOSFET
封裝：TO-263 (D2PAK)
最大漏源電壓(Vds)：60V
最大柵源電壓(Vgs)：±20V
最大漏極電流(Id)：38A
導(dǎo)通電阻(Rds(on))：4.5mΩ
柵極電荷(Qg)：70nC
工作溫度范圍：-55°C 至 175°C
熱阻(結(jié)至殼)：1.4°C/W
GA0603A560FBBAT31G 具有以下顯著特性：
1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) 可以減少導(dǎo)通損耗，從而提高系統(tǒng)的整體效率。
2. 高速開關(guān)能力，得益于較低的柵極電荷 (Qg)，適用于高頻應(yīng)用。
3. 強(qiáng)大的耐熱性能，能夠承受較高的結(jié)溫，確保在高溫環(huán)境下依然保持穩(wěn)定運(yùn)行。
4. 封裝形式為 TO-263 (D2PAK)，具備良好的散熱性能，并且易于集成到現(xiàn)有設(shè)計中。
5. 支持寬泛的工作溫度范圍 (-55°C 至 175°C)，適應(yīng)各種惡劣的工作條件。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且安全。
該芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的主開關(guān)或同步整流管。
2. 電機(jī)驅(qū)動電路中的功率級控制。
3. 汽車電子系統(tǒng)中的負(fù)載開關(guān)和保護(hù)電路。
4. 工業(yè)設(shè)備中的功率控制和能量管理模塊。
5. 各類便攜式設(shè)備的電池管理解決方案。
6. 高效 LED 驅(qū)動器和音頻放大器的功率輸出級。
IRFZ44N
FDP5800
STP55NF06L
