GA0603A560FBBAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,采用先�(jìn)的制造工�,主要應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)動和�(fù)載開�(guān)等場�。該芯片具有低導(dǎo)通電阻、高效率和高可靠性的特點(diǎn),適合需要高效能量轉(zhuǎn)換和低功耗的�(yīng)用環(huán)境�
這款芯片在設(shè)計上注重散熱性能和電氣性能的優(yōu)�,能夠有效降低系�(tǒng)能耗并提升整體性能�
型號:GA0603A560FBBAT31G
類型:N-Channel MOSFET
封裝:TO-263 (D2PAK)
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
最大漏極電�(Id)�38A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�4.5mΩ
柵極電荷(Qg)�70nC
工作溫度范圍�-55°C � 175°C
熱阻(�(jié)至殼)�1.4°C/W
GA0603A560FBBAT31G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)) 可以減少�(dǎo)通損�,從而提高系�(tǒng)的整體效��
2. 高速開�(guān)能力,得益于較低的柵極電� (Qg),適用于高頻�(yīng)用�
3. �(qiáng)大的耐熱性能,能夠承受較高的�(jié)�,確保在高溫�(huán)境下依然保持�(wěn)定運(yùn)��
4. 封裝形式� TO-263 (D2PAK),具備良好的散熱性能,并且易于集成到�(xiàn)有設(shè)計中�
5. 支持寬泛的工作溫度范� (-55°C � 175°C),適�(yīng)各種惡劣的工作條件�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全�
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的主開�(guān)或同步整流管�
2. 電機(jī)�(qū)動電路中的功率級控制�
3. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
4. 工業(yè)�(shè)備中的功率控制和能量管理模塊�
5. 各類便攜式設(shè)備的電池管理解決方案�
6. 高效 LED �(qū)動器和音頻放大器的功率輸出級�
IRFZ44N
FDP5800
STP55NF06L