GA0603A5R6CXAAC31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效率功率晶體管。該器件�(zhuān)為高頻、高功率�(yīng)用設(shè)�(jì),具備卓越的�(kāi)�(guān)性能和低�(dǎo)通電阻特性,適用于電源管�、射頻放大器以及新能源領(lǐng)域的各種�(chǎng)景。這款芯片采用了先�(jìn)的封裝工�,能夠有效降低寄生電感和熱阻,從而提高整體系�(tǒng)的可靠性和效率�
該型�(hào)中的部分�(biāo)�(shí)解析如下:GA代表氮化鎵技�(shù)�0603表示尺寸或規(guī)格代�,A5R6CXAA是具體的�(chǎn)品系列編�,而C31G則是版本或批次信��
額定電壓�650V
額定電流�30A
�(dǎo)通電阻:40mΩ
�(kāi)�(guān)頻率范圍:最高可�(dá)10MHz
封裝形式:TO-247-4L
工作溫度范圍�-55℃至+150�
最大結(jié)溫:175�
GA0603A5R6CXAAC31G 的主要特性包括:
1. 高效的氮化鎵材料使其具備更低的導(dǎo)通電阻和更高的開(kāi)�(guān)速度,顯著優(yōu)于傳�(tǒng)的硅基MOSFET�
2. 能夠在高頻條件下保持較低的開(kāi)�(guān)損�,非常適合高頻開(kāi)�(guān)電源和DC-DC�(zhuǎn)換器等應(yīng)��
3. �(nèi)置驅(qū)�(dòng)�(yōu)化電路,�(jiǎn)化了外圍電路�(shè)�(jì)并提高了系統(tǒng)�(wěn)定��
4. 封裝�(jié)�(gòu)�(jīng)�(guò)特殊�(shè)�(jì)以減少寄生效�(yīng),確保其在高功率�(huán)境下的表�(xiàn)更加出色�
5. 具備�(yōu)異的熱管理和耐受能力,可適應(yīng)極端的工作條��
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 高頻�(kāi)�(guān)電源(SMPS�,如服務(wù)器電源、通信電源和工�(yè)電源�
2. 電動(dòng)�(chē)輛的�(chē)載充電器(OBC)和逆變��
3. 太陽(yáng)能逆變器和�(chǔ)能系�(tǒng)中的功率�(zhuǎn)換模��
4. �(shù)�(jù)中心及高性能�(jì)算設(shè)備中的高效電源管理單��
5. 射頻功率放大器和�(wú)線能量傳輸設(shè)備�
GAN060-650WSA
GA0603A5R8CXAAC31G
GXT65030B