時(shí)間：2025/5/30 19:32:57
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GA0603A680JBBAR31G 是一款由安森美（onsemi）生產(chǎn)的功率MOSFET芯片，主要用于高頻開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)域。該芯片采用了先進(jìn)的制造工藝，具備低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度的特性，能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率。
這款器件支持表面貼裝封裝，便于自動(dòng)化生產(chǎn)，同時(shí)其耐熱性和電氣性能優(yōu)越，適合在高電流和高電壓環(huán)境下工作。
型號(hào)：GA0603A680JBBAR31G
類型：N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電壓VDS：60V
最大柵源電壓VGS：±20V
持續(xù)漏極電流ID：39A
導(dǎo)通電阻RDS(on)：6.8mΩ
柵極電荷Qg：35nC
輸入電容Ciss：4700pF
總功耗Ptot：125W
工作溫度范圍Tamb：-55°C to +175°C
封裝形式：TO-247-3
GA0603A680JBBAR31G 具有以下顯著特性：
1. 極低的導(dǎo)通電阻（RDS(on) 僅為 6.8mΩ），可顯著減少傳導(dǎo)損耗，尤其在高電流應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。
2. 快速的開關(guān)速度，使其適用于高頻開關(guān)電源和高效能DC-DC轉(zhuǎn)換器。
3. 高額定電流（39A），能夠處理較大的負(fù)載需求。
4. 封裝采用 TO-247-3，具有良好的散熱性能，可滿足高功率應(yīng)用場景。
5. 工作溫度范圍寬廣（-55°C 至 +175°C），適應(yīng)多種極端環(huán)境條件。
6. 良好的抗雪崩能力，確保在異常工作條件下也能保持穩(wěn)定運(yùn)行。
GA0603A680JBBAR31G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源（SMPS）和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制，如工業(yè)設(shè)備中的伺服電機(jī)和無刷直流電機(jī)。
3. 電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車中的電力電子系統(tǒng)。
4. 太陽能逆變器和其他可再生能源系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換模塊。
5. 高效照明系統(tǒng)中的 LED 驅(qū)動(dòng)電路。
6. 各種需要大電流、低損耗功率開關(guān)的應(yīng)用場景。
GA0603A680JBBAR30G
