GA0603A680JBBAR31G 是一款由安森美(onsemi)生產(chǎn)的功率MOSFET芯片,主要用于高頻開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)域。該芯片采用了先進(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度的特性,能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率。
這款器件支持表面貼裝封裝,便于自動(dòng)化生產(chǎn),同時(shí)其耐熱性和電氣性能優(yōu)越,適合在高電流和高電壓環(huán)境下工作。
型號(hào):GA0603A680JBBAR31G
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電壓VDS:60V
最大柵源電壓VGS:±20V
持續(xù)漏極電流ID:39A
導(dǎo)通電阻RDS(on):6.8mΩ
柵極電荷Qg:35nC
輸入電容Ciss:4700pF
總功耗Ptot:125W
工作溫度范圍Tamb:-55°C to +175°C
封裝形式:TO-247-3
GA0603A680JBBAR31G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(RDS(on) 僅為 6.8mΩ),可顯著減少傳導(dǎo)損耗,尤其在高電流應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。
2. 快速的開關(guān)速度,使其適用于高頻開關(guān)電源和高效能DC-DC轉(zhuǎn)換器。
3. 高額定電流(39A),能夠處理較大的負(fù)載需求。
4. 封裝采用 TO-247-3,具有良好的散熱性能,可滿足高功率應(yīng)用場景。
5. 工作溫度范圍寬廣(-55°C 至 +175°C),適應(yīng)多種極端環(huán)境條件。
6. 良好的抗雪崩能力,確保在異常工作條件下也能保持穩(wěn)定運(yùn)行。
GA0603A680JBBAR31G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制,如工業(yè)設(shè)備中的伺服電機(jī)和無刷直流電機(jī)。
3. 電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車中的電力電子系統(tǒng)。
4. 太陽能逆變器和其他可再生能源系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換模塊。
5. 高效照明系統(tǒng)中的 LED 驅(qū)動(dòng)電路。
6. 各種需要大電流、低損耗功率開關(guān)的應(yīng)用場景。
GA0603A680JBBAR30G