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GA0603A680JBBAR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/30 19:32:57 查看 閱讀�15

GA0603A680JBBAR31G 是一款由安森美(onsemi)生�(chǎn)的功率MOSFET芯片,主要用于高頻開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)�。該芯片采用了先�(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�,能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
  這款器件支持表面貼裝封裝,便于自�(dòng)化生�(chǎn),同�(shí)其耐熱性和電氣性能�(yōu)�,適合在高電流和高電壓環(huán)境下工作�

參數(shù)

型號(hào):GA0603A680JBBAR31G
  類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  最大漏源電壓VDS�60V
  最大柵源電壓VGS:�20V
  持續(xù)漏極電流ID�39A
  �(dǎo)通電阻RDS(on)�6.8mΩ
  柵極電荷Qg�35nC
  輸入電容Ciss�4700pF
  總功耗Ptot�125W
  工作溫度范圍Tamb�-55°C to +175°C
  封裝形式:TO-247-3

特�

GA0603A680JBBAR31G 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(RDS(on) 僅為 6.8mΩ�,可顯著減少傳導(dǎo)損�,尤其在高電流應(yīng)用中表現(xiàn)�(yōu)異�
  2. 快速的開關(guān)速度,使其適用于高頻開關(guān)電源和高效能DC-DC�(zhuǎn)換器�
  3. 高額定電流(39A�,能夠處理較大的�(fù)載需��
  4. 封裝采用 TO-247-3,具有良好的散熱性能,可滿足高功率應(yīng)用場��
  5. 工作溫度范圍寬廣�-55°C � +175°C�,適�(yīng)多種極端�(huán)境條件�
  6. 良好的抗雪崩能力,確保在異常工作條件下也能保持穩(wěn)定運(yùn)行�

�(yīng)�

GA0603A680JBBAR31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)和 DC-DC �(zhuǎn)換器�(shè)�(jì)�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)控制,如工業(yè)�(shè)備中的伺服電�(jī)和無刷直流電�(jī)�
  3. 電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車中的電力電子系�(tǒng)�
  4. 太陽能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換模��
  5. 高效照明系統(tǒng)中的 LED �(qū)�(dòng)電路�
  6. 各種需要大電流、低損耗功率開�(guān)的應(yīng)用場景�

替代型號(hào)

GA0603A680JBBAR30G

ga0603a680jbbar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容68 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0603�1608 公制�
  • 大小 / 尺寸0.063" � x 0.031" 寬(1.60mm x 0.80mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"�0.97mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-