時間：2025/6/9 12:18:09
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GA0603H103MBAAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，專為高效率、低損耗的開關(guān)應(yīng)用設(shè)計。該器件采用先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝，具備低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度的特點(diǎn)，適用于各類電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動以及負(fù)載開關(guān)等場景。
該型號屬于溝道增強(qiáng)型 MOSFET 系列，支持高頻開關(guān)操作，并在高溫環(huán)境下表現(xiàn)出卓越的穩(wěn)定性。
類型：N-Channel MOSFET
最大漏源電壓(Vdss)：60V
最大柵極源極電壓(Vgs)：±20V
最大連續(xù)漏極電流(Id)：3.4A
導(dǎo)通電阻(Rds(on))：3.5mΩ（典型值，在Vgs=10V時）
總功耗(Ptot)：2.1W
工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
封裝形式：SOT-223
1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on)，有助于減少傳導(dǎo)損耗，提升系統(tǒng)效率。
2. 快速的開關(guān)速度，能夠有效降低開關(guān)損耗，特別適合高頻應(yīng)用。
3. 高度可靠的熱性能表現(xiàn)，可確保在極端條件下穩(wěn)定運(yùn)行。
4. 內(nèi)置反向二極管，優(yōu)化了同步整流電路中的性能。
5. 具備優(yōu)異的雪崩能力和靜電放電(ESD)保護(hù)功能，增強(qiáng)了器件的魯棒性。
6. 小巧緊湊的封裝形式，方便PCB布局設(shè)計并節(jié)省空間。
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的初級側(cè)或次級側(cè)開關(guān)。
2. 用于DC-DC轉(zhuǎn)換器中的同步整流功能。
3. 各類電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用，例如無刷直流電機(jī)控制。
4. 筆記本電腦、平板設(shè)備及智能手機(jī)的充電管理。
5. LED照明系統(tǒng)的恒流驅(qū)動電路。
6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載切換與保護(hù)。
IRFZ44N
AO3400
FDP15K10
STP36NF06L
