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GA0603H103MBAAT31G 發(fā)布時間 時間:2025/6/9 12:18:09 查看 閱讀:3

GA0603H103MBAAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,專為高效率、低損耗的開關(guān)應(yīng)用設(shè)計。該器件采用先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度的特點(diǎn),適用于各類電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動以及負(fù)載開關(guān)等場景。
  該型號屬于溝道增強(qiáng)型 MOSFET 系列,支持高頻開關(guān)操作,并在高溫環(huán)境下表現(xiàn)出卓越的穩(wěn)定性。

參數(shù)

類型:N-Channel MOSFET
  最大漏源電壓(Vdss):60V
  最大柵極源極電壓(Vgs):±20V
  最大連續(xù)漏極電流(Id):3.4A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):3.5mΩ(典型值,在Vgs=10V時)
  總功耗(Ptot):2.1W
  工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
  封裝形式:SOT-223

特性

1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),有助于減少傳導(dǎo)損耗,提升系統(tǒng)效率。
  2. 快速的開關(guān)速度,能夠有效降低開關(guān)損耗,特別適合高頻應(yīng)用。
  3. 高度可靠的熱性能表現(xiàn),可確保在極端條件下穩(wěn)定運(yùn)行。
  4. 內(nèi)置反向二極管,優(yōu)化了同步整流電路中的性能。
  5. 具備優(yōu)異的雪崩能力和靜電放電(ESD)保護(hù)功能,增強(qiáng)了器件的魯棒性。
  6. 小巧緊湊的封裝形式,方便PCB布局設(shè)計并節(jié)省空間。

應(yīng)用

1. 開關(guān)電源(SMPS)中的初級側(cè)或次級側(cè)開關(guān)。
  2. 用于DC-DC轉(zhuǎn)換器中的同步整流功能。
  3. 各類電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用,例如無刷直流電機(jī)控制。
  4. 筆記本電腦、平板設(shè)備及智能手機(jī)的充電管理。
  5. LED照明系統(tǒng)的恒流驅(qū)動電路。
  6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載切換與保護(hù)。

替代型號

IRFZ44N
  AO3400
  FDP15K10
  STP36NF06L

ga0603h103mbaat31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容10000 pF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 長 x 0.031" 寬(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"(0.97mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-