時間：2025/5/21 19:59:42
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GA0603H122JBAAT31G 是一款由 ON Semiconductor（安森美）生產(chǎn)的高壓 MOSFET 芯片，主要應(yīng)用于高功率開關(guān)場景。該器件采用 N 溝道技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻和高耐壓能力，廣泛適用于工業(yè)控制、電源轉(zhuǎn)換以及電機(jī)驅(qū)動等領(lǐng)域。
這款芯片基于先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝，優(yōu)化了靜態(tài)和動態(tài)性能參數(shù)，能夠有效降低系統(tǒng)功耗并提高整體效率。其封裝形式為 TO-247-3，確保了良好的散熱性能和機(jī)械穩(wěn)定性。
最大漏源電壓：650V
連續(xù)漏極電流：18A
導(dǎo)通電阻：0.12Ω
柵極電荷：90nC
輸入電容：1250pF
工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
封裝形式：TO-247-3
GA0603H122JBAAT31G 具有以下顯著特點：
1. 高擊穿電壓：可承受高達(dá) 650V 的漏源電壓，適用于高電壓應(yīng)用場景。
2. 低導(dǎo)通電阻：在大電流條件下減少了功率損耗，提升了系統(tǒng)效率。
3. 快速開關(guān)能力：通過優(yōu)化的柵極設(shè)計實現(xiàn)較低的柵極電荷，從而加快開關(guān)速度并減少開關(guān)損耗。
4. 寬溫范圍支持：能夠在極端溫度環(huán)境下穩(wěn)定運行，適合工業(yè)級和汽車級應(yīng)用。
5. 穩(wěn)定的電氣性能：在不同負(fù)載和溫度條件下保持一致的性能表現(xiàn)。
該芯片適用于多種高功率電子設(shè)備，包括但不限于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源 (SMPS)：用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和 AC-DC 整流電路中，提供高效的功率傳輸。
2. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動：作為功率級開關(guān)元件，實現(xiàn)對電機(jī)的精確控制。
3. 太陽能逆變器：在光伏能源系統(tǒng)中起到關(guān)鍵的功率調(diào)節(jié)作用。
4. UPS 不間斷電源：確保在主電源中斷時快速切換至備用電源模式。
5. 電動汽車牽引逆變器：助力電動車動力系統(tǒng)的高效能量管理。
FCH069N65S,
IRFP460,
STP18N65,
IXFN100N65T2
