時(shí)間：2025/5/22 1:56:40
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GA0603H122JBBAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要應(yīng)用于高效率電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場景。該器件采用先進(jìn)的制造工藝，在開關(guān)速度、導(dǎo)通電阻以及熱性能方面表現(xiàn)出色，適用于要求苛刻的工業(yè)和汽車級應(yīng)用。此型號為 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET，支持大電流和高電壓操作，同時(shí)具有較低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗。
最大漏源電壓：60V
連續(xù)漏極電流：30A
導(dǎo)通電阻：1.2mΩ
柵極電荷：85nC
輸入電容：1400pF
開關(guān)頻率：高達(dá) 1MHz
工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
封裝形式：TO-247
GA0603H122JBBAR31G 的主要特性包括低導(dǎo)通電阻，從而減少了傳導(dǎo)損耗；具備較高的電流承載能力，適用于大功率系統(tǒng)；其快速開關(guān)能力使得它非常適合高頻開關(guān)應(yīng)用；同時(shí)內(nèi)置了多重保護(hù)功能，例如過溫保護(hù)和過流限制，確保在極端條件下的可靠性。
此外，該芯片具有非常低的柵極電荷，這有助于減少開關(guān)過程中的能量損失，并提高整體系統(tǒng)的效率。出色的熱性能設(shè)計(jì)也使其能夠在高溫環(huán)境下長時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行。
該芯片廣泛用于各類高功率密度的應(yīng)用場景，包括但不限于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、逆變器、電動(dòng)工具、不間斷電源（UPS）、太陽能微逆變器以及電動(dòng)汽車的電池管理系統(tǒng)（BMS）。憑借其卓越的電氣特性和耐用性，GA0603H122JBBAR31G 成為了許多工程師在設(shè)計(jì)高效能功率電路時(shí)的首選方案。
IRFZ44N
STP30NF06L
FDP16N60C
AO3400
