GA0603H122JBBAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于高效率電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)�(qū)�(dòng)等場�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,在開關(guān)速度、導(dǎo)通電阻以及熱性能方面表現(xiàn)出色,適用于要求苛刻的工�(yè)和汽車級�(yīng)用。此型號� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,支持大電流和高電壓操作,同�(shí)具有較低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�30A
�(dǎo)通電阻:1.2mΩ
柵極電荷�85nC
輸入電容�1400pF
開關(guān)頻率:高�(dá) 1MHz
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:TO-247
GA0603H122JBBAR31G 的主要特性包括低�(dǎo)通電�,從而減少了傳導(dǎo)損�;具備較高的電流承載能力,適用于大功率系�(tǒng);其快速開�(guān)能力使得它非常適合高頻開�(guān)�(yīng)�;同�(shí)�(nèi)置了多重保護(hù)功能,例如過溫保�(hù)和過流限�,確保在極端條件下的可靠��
此外,該芯片具有非常低的柵極電荷,這有助于減少開關(guān)過程中的能量損失,并提高整體系統(tǒng)的效�。出色的熱性能�(shè)�(jì)也使其能夠在高溫�(huán)境下長時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行�
該芯片廣泛用于各類高功率密度的應(yīng)用場�,包括但不限� DC-DC �(zhuǎn)換器、逆變�、電�(dòng)工具、不間斷電源(UPS)、太陽能微逆變器以及電�(dòng)汽車的電池管理系�(tǒng)(BMS�。憑借其卓越的電氣特性和耐用�,GA0603H122JBBAR31G 成為了許多工程師在設(shè)�(jì)高效能功率電路時(shí)的首選方案�
IRFZ44N
STP30NF06L
FDP16N60C
AO3400