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GA0603H122JBBAR31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/22 1:56:40 查看 閱讀:23

GA0603H122JBBAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于高效率電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場景。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,在開關(guān)速度、導(dǎo)通電阻以及熱性能方面表現(xiàn)出色,適用于要求苛刻的工業(yè)和汽車級應(yīng)用。此型號為 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET,支持大電流和高電壓操作,同時(shí)具有較低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗。

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流:30A
  導(dǎo)通電阻:1.2mΩ
  柵極電荷:85nC
  輸入電容:1400pF
  開關(guān)頻率:高達(dá) 1MHz
  工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
  封裝形式:TO-247

特性

GA0603H122JBBAR31G 的主要特性包括低導(dǎo)通電阻,從而減少了傳導(dǎo)損耗;具備較高的電流承載能力,適用于大功率系統(tǒng);其快速開關(guān)能力使得它非常適合高頻開關(guān)應(yīng)用;同時(shí)內(nèi)置了多重保護(hù)功能,例如過溫保護(hù)和過流限制,確保在極端條件下的可靠性。
  此外,該芯片具有非常低的柵極電荷,這有助于減少開關(guān)過程中的能量損失,并提高整體系統(tǒng)的效率。出色的熱性能設(shè)計(jì)也使其能夠在高溫環(huán)境下長時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行。

應(yīng)用

該芯片廣泛用于各類高功率密度的應(yīng)用場景,包括但不限于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、逆變器、電動(dòng)工具、不間斷電源(UPS)、太陽能微逆變器以及電動(dòng)汽車的電池管理系統(tǒng)(BMS)。憑借其卓越的電氣特性和耐用性,GA0603H122JBBAR31G 成為了許多工程師在設(shè)計(jì)高效能功率電路時(shí)的首選方案。

替代型號

IRFZ44N
  STP30NF06L
  FDP16N60C
  AO3400

ga0603h122jbbar31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容1200 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 長 x 0.031" 寬(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"(0.97mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-