GA0603H122KBAAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,專為高效率電源�(zhuǎn)換和電機(jī)�(qū)動應(yīng)用設(shè)�。該芯片采用了先�(jìn)的溝槽式工藝技�(shù),具有低�(dǎo)通電�、快速開�(guān)速度和高耐壓能力等優(yōu)�(diǎn)。其封裝形式和電氣特性使其非常適合用于工�(yè)控制、消�(fèi)電子以及汽車電子等領(lǐng)��
型號:GA0603H122KBAAR31G
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�34A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�1.8mΩ (典型�,在 Vgs=10V �)
輸入電容(Ciss)�5050pF
輸出電容(Coss)�75pF
開關(guān)時間:ton=9ns,toff=17ns
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
封裝形式:TO-247-3
GA0603H122KBAAR31G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠有效降低傳�(dǎo)損耗,提高系統(tǒng)效率�
2. 快速的開關(guān)速度,有助于減少開關(guān)損�,適合高頻應(yīng)��
3. 高度�(wěn)定的動態(tài)性能,在�(fù)載突變情況下仍能保持良好的輸出穩(wěn)定��
4. �(nèi)� ESD 保護(hù)電路,增�(qiáng)芯片在惡劣環(huán)境中的可靠��
5. 寬泛的工作溫度范圍,適應(yīng)各種極端條件下的使用需��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于焊接和裝��
這些特性使該器件特別適合應(yīng)用于 DC/DC �(zhuǎn)換器、同步整流電�、電池管理系�(tǒng)以及電動工具�(qū)動等�(lǐng)域�
GA0603H122KBAAR31G 的主要應(yīng)用領(lǐng)域包括:
1. 開關(guān)電源(SMPS) 中的主功率開�(guān)元件�
2. 同步整流電路中的�(xù)流二極管替代方案�
3. 電機(jī)�(qū)動控制器中的功率級開�(guān)�
4. 電動車及混合動力汽車中的電池管理模塊�
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)與控制�
6. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的高效能充電解決方案�
該芯片憑借其�(yōu)異的性能指標(biāo),可滿足上述�(yīng)用場景對功率密度和熱管理的要��
IRFZ44N, FDP5800, AO3400