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GA0603H122KBAAT31G 發(fā)布時間 時間�2025/6/4 2:33:58 查看 閱讀�11

GA0603H122KBAAT31G 是一款高性能的功率MOSFET器件,廣泛應用于電源管理、電機驅(qū)動和工業(yè)控制領域。該芯片采用了先進的溝槽式結(jié)構設�,具有低導通電�、高開關速度以及出色的熱性能。其封裝形式為TO-252(DPAK�,能夠滿足多種應用場景的需求�
  該型號屬于N溝道增強型MOSFET,適用于需要高效能和低損耗的電路設計�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�3.5A
  導通電阻:12mΩ
  柵極電荷�17nC
  開關速度:快�
  工作溫度范圍�-55� � +150�
  封裝形式:TO-252(DPAK�

特�

GA0603H122KBAAT31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導通電阻(Rds(on)),能夠在高電流條件下顯著降低功��
  2. 快速的開關速度,減少開關損�,提升整體效��
  3. 高度可靠的電氣性能,在高溫�(huán)境下仍能保持�(wěn)定運��
  4. 小巧的封裝尺寸,適合空間受限的應用場��
  5. 支持表面貼裝技術(SMD�,便于自動化生產(chǎn)和裝配�
  6. 具備�(yōu)異的熱管理和散熱性能,確保長時間工作的穩(wěn)定��
  這些特點使得該器件非常適合用于直�-直流�(zhuǎn)換器、負載開關、電機驅(qū)動器以及其他需要高效能和低損耗的電路��

應用

GA0603H122KBAAT31G 主要應用于以下領域:
  1. 開關電源(SMPS)和直流-直流�(zhuǎn)換器�
  2. 各類負載開關和保護電��
  3. 消費電子設備中的電源管理模塊�
  4. 工業(yè)自動化設備中的電機驅(qū)��
  5. 照明系統(tǒng)中的LED�(qū)動電路�
  6. 通信設備中的信號�(diào)節(jié)和功率控��
  這款功率MOSFET憑借其出色的性能和可靠�,成為許多工程師在設計高效能功率電路時的理想選擇�

替代型號

GA0603H122KBAT31G, IRFZ44N, FDP5580

ga0603h122kbaat31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容1200 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • 應用汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0603�1608 公制�
  • 大小 / 尺寸0.063" � x 0.031" 寬(1.60mm x 0.80mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"�0.97mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-