GA0603H152MXXAC31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,適用于高頻�(kāi)�(guān)�(yīng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,能夠提供低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)性能,從而提高效率并降低功耗�
其主要特�(diǎn)包括高耐壓能力、低柵極電荷以及�(yōu)化的熱性能,使其非常適合于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及 DC-DC �(zhuǎn)換器等應(yīng)用場(chǎng)��
型號(hào):GA0603H152MXXAC31G
類型:N溝道功率 MOSFET
封裝:TO-247
最大漏源電壓(Vds):600V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):15A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):0.18Ω
總柵極電荷(Qg):45nC
工作溫度范圍�-55� � +150�
GA0603H152MXXAC31G 具備以下顯著特性:
1. 高擊穿電�,可承受高達(dá) 600V 的漏源電壓,確保在高壓環(huán)境下可靠�(yùn)��
2. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),僅為 0.18Ω,大幅降低了傳導(dǎo)損��
3. 快速開(kāi)�(guān)性能,總柵極電荷(Qg)為 45nC,減少了�(kāi)�(guān)損��
4. 支持高連續(xù)漏極電流(Id),最大可�(dá) 15A,適用于大電流負(fù)載場(chǎng)��
5. �(yōu)化的熱設(shè)�(jì),能夠有效提升散熱性能,延�(zhǎng)器件壽命�
6. 寬工作溫度范�,從 -55� � +150℃,適應(yīng)各種惡劣�(huán)境條��
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)設(shè)�(jì),用于高效能量轉(zhuǎn)��
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,實(shí)�(xiàn)�(duì)直流�(wú)刷電�(jī)或步�(jìn)電機(jī)的精確控��
3. DC-DC �(zhuǎn)換器,作為主�(kāi)�(guān)管以�(shí)�(xiàn)電壓�(diào)節(jié)功能�
4. PFC(功率因�(shù)校正)電�,幫助提高系�(tǒng)整體效率�
5. 各類工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理模��
6. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(shè)��
GA0603H152MXXAC32G, IRFP460, FQA15N60C