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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA0603H182JBBAT31G

GA0603H182JBBAT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/24 18:36:21 查看 閱讀�15

GA0603H182JBBAT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于高效率電源轉(zhuǎn)換場(chǎng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著降低能量損耗并提升系統(tǒng)性能。其封裝形式和電氣特性專為高密度、高可靠性的�(yīng)用設(shè)�(jì)�

參數(shù)

型號(hào):GA0603H182JBBAT31G
  類型:N-Channel MOSFET
  額定電壓�60V
  額定電流�30A
  �(dǎo)通電阻:1.8mΩ(典型值)
  柵極電荷�45nC(最大值)
  工作溫度范圍�-55� � +175�
  封裝形式:TO-247

特�

GA0603H182JBBAT31G 具備卓越的電氣性能,包括低�(dǎo)通電阻和低柵極電�,這使得它非常適合高頻�(kāi)�(guān)�(yīng)�。此外,該器件還擁有出色的熱�(wěn)定性和耐受大電流沖擊的能力�
  它的先�(jìn)制造工藝保證了低開(kāi)�(guān)損�,從而提高整體系�(tǒng)效率。在高溫�(huán)境下,該器件依然能保持穩(wěn)定的性能表現(xiàn),適用于�(yán)苛的工作條件�
  此外,其�(jiān)固的封裝�(shè)�(jì)�(jìn)一步增�(qiáng)了產(chǎn)品的可靠性,使其成為工業(yè)�(jí)和汽車級(jí)�(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

GA0603H182JBBAT31G 廣泛�(yīng)用于多種�(lǐng)�,包括但不限于:
  - �(kāi)�(guān)電源 (SMPS)
  - 電機(jī)�(qū)�(dòng)�
  - 太陽(yáng)能逆變�
  - 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)�
  - 汽車電子系統(tǒng)
  - LED �(qū)�(dòng)�
  憑借其高效和可靠的性能,這款MOSFET在需要高功率密度和高效率的應(yīng)用中表現(xiàn)出色�

替代型號(hào)

GA0603H182JBBAT29G, IRFZ44N, FDP15U20A

ga0603h182jbbat31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容1800 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0603�1608 公制�
  • 大小 / 尺寸0.063" �(zhǎng) x 0.031" 寬(1.60mm x 0.80mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"�0.97mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-