GA0603H182JXAAP31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動和負載切換等場景。該器件采用先進的制造工藝,具有低導通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能。其封裝形式為行業(yè)標準,便于設(shè)計和集成到各種電子系統(tǒng)中。
這款MOSFET的主要特點是其優(yōu)化的電氣參數(shù)和可靠性設(shè)計,使其在高頻和高效率應(yīng)用中表現(xiàn)出色。此外,它還具備反向恢復時間短和較低的柵極電荷特性,有助于減少開關(guān)損耗。
型號:GA0603H182JXAAP31G
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電壓(V_DS):60V
最大柵源電壓(V_GS):±20V
連續(xù)漏極電流(I_D):3.5A
導通電阻(R_DS(on)):18mΩ (典型值,V_GS=10V)
總柵極電荷(Q_g):12nC
反向恢復時間(t_rr):45ns
工作溫度范圍(T_J):-55℃ to +175℃
封裝形式:TO-252(DPAK)
GA0603H182JXAAP31G 具有以下主要特性:
1. 極低的導通電阻(R_DS(on)),能夠顯著降低傳導損耗,提高系統(tǒng)效率。
2. 高速開關(guān)能力,得益于其較低的總柵極電荷和反向恢復時間,適合高頻應(yīng)用場景。
3. 寬泛的工作溫度范圍,確保了在極端環(huán)境下的可靠運行。
4. 小型化的封裝設(shè)計,節(jié)省PCB空間,同時提供優(yōu)秀的散熱性能。
5. 符合RoHS標準,環(huán)保無鉛材料,支持綠色設(shè)計要求。
6. 耐用性強,可承受多次浪涌電流沖擊而不損壞。
該芯片適用于多種電力電子領(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開關(guān)或同步整流元件。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器,用于升降壓調(diào)節(jié)電路。
3. 電池管理系統(tǒng)(BMS),用于保護和控制電池充放電路徑。
4. 汽車電子設(shè)備,例如電動窗、座椅調(diào)節(jié)和雨刷控制系統(tǒng)。
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的電機驅(qū)動和負載切換。
6. 便攜式電子產(chǎn)品的電源管理模塊,如筆記本電腦適配器和智能手機快充方案。
IRFZ44N
FDP5500
AON7308
STP30NF06L