型號(hào)：GA0603H182JXBAC31G
　　類(lèi)型：增強(qiáng)型功率晶體管
　　材料：氮化鎵 (GaN)
　　最大漏源電壓 (Vds)：600V
　　連續(xù)漏極電流 (Id)：3A
　　導(dǎo)通電阻 (Rds(on))：180mΩ
　　柵極電荷 (Qg)：35nC
　　工作溫度范圍：-55℃ 至 +150℃
　　封裝形式：SMD

這款 GaN 功率晶體管具有以下顯著特性：
　　1. 高擊穿電壓（600V），使其能夠適應(yīng)寬范圍的輸入電壓環(huán)境。
　　2. 極低的導(dǎo)通電阻（180mΩ），從而減少了導(dǎo)通損耗，提升了系統(tǒng)效率。
　　3. 快速開(kāi)關(guān)能力，支持高達(dá)數(shù) MHz 的開(kāi)關(guān)頻率，滿(mǎn)足高頻應(yīng)用需求。
　　4. 內(nèi)置 ESD 保護(hù)功能，增強(qiáng)了器件的魯棒性和可靠性。
　　5. 采用緊湊型表面貼裝封裝，適合小型化和高密度設(shè)計(jì)。

GA0603H182JXBAC31G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 消費(fèi)電子中的電源適配器和充電器，如筆記本電腦和手機(jī)快充方案。
　　2. 服務(wù)器及通信設(shè)備中的 DC-DC 轉(zhuǎn)換模塊。
　　3. 無(wú)線(xiàn)充電發(fā)射端和接收端電路。
　　4. 太陽(yáng)能微逆變器和其他可再生能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。
　　5. LED 驅(qū)動(dòng)器和汽車(chē)電子輔助電源單元。

GA0603H182KXBAC31G
　　GA0603H182LXBAC31G