GA0603H182JXBAC31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效功率晶體管,專(zhuān)為高�、高效率�(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)� GaN-on-Silicon 工藝制�,具備低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,適用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、電源適配器、無(wú)�(xiàn)充電以及其他需要高效率和小尺寸解決方案的應(yīng)用場(chǎng)��
其封裝形式為行業(yè)�(biāo)�(zhǔn)的表面貼裝類(lèi)型,有助于簡(jiǎn)� PCB �(shè)�(jì)并提高生�(chǎn)效率�
型號(hào):GA0603H182JXBAC31G
�(lèi)型:增強(qiáng)型功率晶體管
材料:氮化鎵 (GaN)
最大漏源電� (Vds)�600V
連續(xù)漏極電流 (Id)�3A
�(dǎo)通電� (Rds(on))�180mΩ
柵極電荷 (Qg)�35nC
工作溫度范圍�-55� � +150�
封裝形式:SMD
這款 GaN 功率晶體管具有以下顯著特性:
1. 高擊穿電壓(600V�,使其能夠適�(yīng)寬范圍的輸入電壓�(huán)��
2. 極低的導(dǎo)通電阻(180mΩ�,從而減少了�(dǎo)通損耗,提升了系�(tǒng)效率�
3. 快速開(kāi)�(guān)能力,支持高�(dá)�(shù) MHz 的開(kāi)�(guān)頻率,滿(mǎn)足高頻應(yīng)用需��
4. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能,增�(qiáng)了器件的魯棒性和可靠��
5. 采用緊湊型表面貼裝封�,適合小型化和高密度�(shè)�(jì)�
GA0603H182JXBAC31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 消費(fèi)電子中的電源適配器和充電�,如筆記本電腦和手機(jī)快充方案�
2. 服務(wù)器及通信�(shè)備中� DC-DC �(zhuǎn)換模��
3. �(wú)�(xiàn)充電�(fā)射端和接收端電路�
4. 太陽(yáng)能微逆變器和其他可再生能源轉(zhuǎn)換系�(tǒng)�
5. LED �(qū)�(dòng)器和汽車(chē)電子輔助電源單元�
GA0603H182KXBAC31G
GA0603H182LXBAC31G