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GA0603H183KBAAR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/16 17:30:24 查看 閱讀�20

GA0603H183KBAAR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能。該器件主要�(yīng)用于高頻開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等需要高效能量轉(zhuǎn)換的�(chǎng)��
  該芯片屬于N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管,能夠承受較高的電壓和電流�(fù)�,同�(shí)提供較低的功耗和更高的可靠性。其封裝形式通常為行�(yè)�(biāo)�(zhǔn)的表面貼裝類�,方便大�(guī)模自�(dòng)化生�(chǎn)�

參數(shù)

型號(hào):GA0603H183KBAAR31G
  類別:功率MOSFET
  類型:N溝道增強(qiáng)�
  額定漏源電壓(Vds)�60V
  額定漏極電流(Id)�30A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�1.8mΩ
  柵極電荷(Qg)�45nC
  工作溫度范圍�-55℃至175�
  封裝形式:TO-263 (D2PAK)

特�

GA0603H183KBAAR31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有效降低傳�(dǎo)損耗,提高系統(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)能力,支持高頻操�,適合于開關(guān)電源和DC-DC�(zhuǎn)換應(yīng)用�
  3. 高擊穿電壓設(shè)�(jì),確保在高電壓環(huán)境下可靠�(yùn)��
  4. �(nèi)置ESD保護(hù)電路,增�(qiáng)了芯片的抗靜電能��
  5. 小巧的封裝形式,便于PCB布局并支持高效的散熱管理�
  6. 寬廣的工作溫度范�,適�(yīng)各種�(yán)苛的�(huán)境條��

�(yīng)�

該芯片適用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)及適配器�(shè)�(jì)�
  2. 各類DC-DC�(zhuǎn)換器模塊�
  3. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)控制�
  4. 太陽能逆變器和電池管理系統(tǒng)(BMS)�
  5. 汽車電子中的�(fù)載開�(guān)和電源管理單��
  6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電源管理和�(qū)�(dòng)電路�

替代型號(hào)

GA0603H183KBAAR31G-A, IRFZ44N, FDP5500

ga0603h183kbaar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.018 μF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0603�1608 公制�
  • 大小 / 尺寸0.063" �(zhǎng) x 0.031" 寬(1.60mm x 0.80mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"�0.97mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-