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GA0603H222MBBAR31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/27 14:04:20 查看 閱讀:14

GA0603H222MBBAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,專(zhuān)為高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)特性,適合用于各種電力電子設(shè)備中,如開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和DC-DC轉(zhuǎn)換器等。其封裝形式為表面貼裝型,便于自動(dòng)化生產(chǎn)和散熱管理。

參數(shù)

型號(hào):GA0603H222MBBAR31G
  類(lèi)型:N-Channel MOSFET
  Vds(最大漏源電壓):60V
  Rds(on)(導(dǎo)通電阻):2.2mΩ
  Id(連續(xù)漏極電流):30A
  Qg(柵極電荷):35nC
  fT(截止頻率):2.4MHz
  Vgs(th)(柵極開(kāi)啟電壓):2.5V
  工作溫度范圍:-55℃ to +175℃
  封裝形式:TO-263

特性

GA0603H222MBBAR31G具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻,可有效減少導(dǎo)通損耗。
  2. 快速開(kāi)關(guān)速度,適用于高頻應(yīng)用場(chǎng)合。
  3. 高電流承載能力,確保在高負(fù)載條件下的穩(wěn)定運(yùn)行。
  4. 良好的熱性能,有助于提高系統(tǒng)的整體效率。
  5. 寬廣的工作溫度范圍,適應(yīng)多種環(huán)境條件。
  6. 小型化封裝,簡(jiǎn)化PCB布局設(shè)計(jì)。

應(yīng)用

該芯片廣泛應(yīng)用于各類(lèi)電力電子領(lǐng)域,包括但不限于以下場(chǎng)景:
  1. 開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS),用于提高效率和減小體積。
  2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,提供高效的功率控制。
  3. DC-DC轉(zhuǎn)換器,實(shí)現(xiàn)直流電壓的高效轉(zhuǎn)換。
  4. 太陽(yáng)能逆變器中的功率調(diào)節(jié)模塊。
  5. 各類(lèi)工業(yè)設(shè)備中的功率管理單元。
  6. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的負(fù)載切換和保護(hù)電路。

替代型號(hào)

GA0603H222MBBAR31G, IRFZ44N, FDP5800, AO3400

ga0603h222mbbar31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容2200 pF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車(chē)級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類(lèi)型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 長(zhǎng) x 0.031" 寬(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"(0.97mm)
  • 引線(xiàn)間距-
  • 引線(xiàn)樣式-