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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > GA0603H223JBXAR31G

GA0603H223JBXAR31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/24 21:39:48 查看 閱讀�16

GA0603H223JBXAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應用于高效率開關電�、DC-DC 轉換器以及電機驅動等場景。該芯片采用先進的制造工藝,具備低導通電阻和快速開關特�,能夠顯著降低系�(tǒng)能耗并提高整體性能�
  該器件通過�(yōu)化柵極電荷和閾值電壓設�,確保在高頻工作條件下的高效表現(xiàn)。同�,其封裝形式緊湊,便于集成到空間受限的應用中�

參數(shù)

類型:MOSFET
  導通電阻(Rds(on)):4.5mΩ
  漏源擊穿電壓(Vds):60V
  柵極閾值電壓(Vgs(th)):2V
  連續(xù)漏極電流(Id):48A
  封裝形式:TO-263
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

GA0603H223JBXAR31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導通電� (4.5mΩ),有效減少導通損��
  2. 快速開關能�,適合高頻應用�
  3. 高雪崩能量能�,增強系�(tǒng)的魯棒性�
  4. 符合 RoHS 標準,環(huán)保設��
  5. 緊湊型封�,支持表面貼裝技� (SMT),簡化生產流��
  6. 支持寬范圍的工作溫度 (-55� � +175�),適用于惡劣�(huán)��

應用

該芯片廣泛應用于以下領域�
  1. 開關電源 (SMPS) � AC-DC 轉換��
  2. DC-DC 轉換器和降壓/升壓模塊�
  3. 電機驅動和逆變��
  4. 工業(yè)自動化設備中的負載開��
  5. 汽車電子系統(tǒng)中的電池管理單元 (BMS)�
  6. 可再生能源設�,如太陽能逆變器�

替代型號

GA0603H223JAXAR31G, IRF6613, AO6613

ga0603h223jbxar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • 產品狀�(tài)在售
  • 電容0.022 μF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定25V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • 應用汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0603�1608 公制�
  • 大小 / 尺寸0.063" � x 0.031" 寬(1.60mm x 0.80mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"�0.97mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-