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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > GA0603H223JBXAT31G

GA0603H223JBXAT31G 發(fā)布時間 時間�2025/6/13 11:40:45 查看 閱讀�7

GA0603H223JBXAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動和 DC-DC �(zhuǎn)換器等場景。該芯片具有低導通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能,適用于需要高效能和高可靠性的電力電子�(shè)��
  這款 MOSFET 采用先進的半導體制造工�,能夠提供卓越的電流處理能力和電壓承受能力,同時具備強大的抗 ESD 和短路保護功��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�30A
  導通電阻:2.2mΩ
  柵極電荷�55nC
  開關(guān)速度�15ns
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

GA0603H223JBXAT31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導通電�,可顯著降低傳導損耗,提高系統(tǒng)效率�
  2. 高速開�(guān)性能,適合高頻應(yīng)用環(huán)��
  3. �(yōu)化的熱設(shè)計,確保在高功率密度條件下穩(wěn)定運��
  4. �(nèi)置短路保護機�,增強系�(tǒng)的可靠��
  5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
  6. 小型封裝�(shè)�,便� PCB 布局和集成�

�(yīng)�

該芯片適用于以下�(yīng)用場景:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)��
  2. 電動工具及家用電器中的電機驅(qū)��
  3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負載切��
  4. 新能源汽車充電樁及車載逆變��
  5. 高效 DC-DC �(zhuǎn)換器模塊�
  6. 太陽能微逆變器及其他綠色能源解決方案�

替代型號

IRF7843, AO3400, FDP55N06L

ga0603h223jbxat31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.022 μF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定25V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0603�1608 公制�
  • 大小 / 尺寸0.063" � x 0.031" 寬(1.60mm x 0.80mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"�0.97mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-
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