GA0603H223JBXAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動和 DC-DC �(zhuǎn)換器等場景。該芯片具有低導通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能,適用于需要高效能和高可靠性的電力電子�(shè)��
這款 MOSFET 采用先進的半導體制造工�,能夠提供卓越的電流處理能力和電壓承受能力,同時具備強大的抗 ESD 和短路保護功��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�30A
導通電阻:2.2mΩ
柵極電荷�55nC
開關(guān)速度�15ns
工作溫度范圍�-55� � +175�
GA0603H223JBXAT31G 的主要特性包括:
1. 極低的導通電�,可顯著降低傳導損耗,提高系統(tǒng)效率�
2. 高速開�(guān)性能,適合高頻應(yīng)用環(huán)��
3. �(yōu)化的熱設(shè)計,確保在高功率密度條件下穩(wěn)定運��
4. �(nèi)置短路保護機�,增強系�(tǒng)的可靠��
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
6. 小型封裝�(shè)�,便� PCB 布局和集成�
該芯片適用于以下�(yīng)用場景:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)��
2. 電動工具及家用電器中的電機驅(qū)��
3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負載切��
4. 新能源汽車充電樁及車載逆變��
5. 高效 DC-DC �(zhuǎn)換器模塊�
6. 太陽能微逆變器及其他綠色能源解決方案�
IRF7843, AO3400, FDP55N06L