GA0603H332JBBAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于高效�、高頻開�(guān)場景。該芯片采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝,具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和良好的熱性能。適用于多種電力電子�(shè)�,如開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器等。其封裝形式� TO-252 (DPAK),適合表面貼裝技�(shù) (SMT) 的生�(chǎn)需��
該型�(hào)屬于某知名品牌的功率器件系列,專為降低功耗和提高系統(tǒng)可靠性而設(shè)�(jì)�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�33A
�(dǎo)通電阻:3.2mΩ
柵極電荷�85nC
開關(guān)頻率:高�(dá) 1MHz
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:TO-252 (DPAK)
功耗:典型� 3W
GA0603H332JBBAR31G 具有卓越的電氣性能和可靠�,以下是其主要特�(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),有助于減少傳導(dǎo)損耗并提升效率�
2. 高速開�(guān)能力,能夠支持高�(dá) 1MHz 的開�(guān)頻率,非常適合高頻應(yīng)��
3. �(yōu)秀的熱性能,能夠在高電流條件下保持�(wěn)定運(yùn)��
4. 小型化封裝設(shè)�(jì),節(jié)� PCB 空間,便于實(shí)�(xiàn)緊湊型產(chǎn)品設(shè)�(jì)�
5. 寬廣的工作溫度范�,適�(yīng)各種�(yán)苛環(huán)境下的應(yīng)用需��
6. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能,增�(qiáng)了器件的抗靜電能��
這款功率 MOSFET 廣泛用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制電路�
3. 太陽能逆變器和 UPS 系統(tǒng)�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理模塊�
5. 汽車電子系統(tǒng),如電動(dòng)助力�(zhuǎn)向和電池管理系統(tǒng)�
6. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的高效電源解決方案�
GA0603H332KBBAR31G, IRF3205, FDP150AN6B