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時(shí)間：2025/5/21 19:52:34
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GA0603H332MBBAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及其他需要高效功率控制的電子設(shè)備中。該器件采用先進(jìn)的制造工藝，具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點(diǎn)，能夠顯著降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率。
該型號(hào)屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET，適用于中高壓場(chǎng)景下的功率控制應(yīng)用。其封裝形式為TO-247，適合散熱要求較高的環(huán)境。
最大漏源電壓：600V
連續(xù)漏極電流：33A
導(dǎo)通電阻：80mΩ
柵極電荷：90nC
開關(guān)時(shí)間：ton=45ns，toff=35ns
結(jié)溫范圍：-55℃至175℃
1. 高耐壓能力：該芯片的最大漏源電壓高達(dá)600V，能夠適應(yīng)各種高壓應(yīng)用場(chǎng)景。
2. 低導(dǎo)通電阻：在典型工作條件下，導(dǎo)通電阻僅為80mΩ，有效減少導(dǎo)通損耗。
3. 快速開關(guān)性能：具備較低的柵極電荷和快速的開關(guān)時(shí)間，有助于降低開關(guān)損耗。
4. 高可靠性：芯片經(jīng)過嚴(yán)格的測(cè)試流程，確保在極端溫度條件下的穩(wěn)定性和耐用性。
5. 散熱優(yōu)化設(shè)計(jì)：采用大功率封裝形式（TO-247），提供良好的散熱性能，適合高功率密度應(yīng)用。
1. 開關(guān)電源（SMPS）
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器
3. 逆變器
4. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備
6. 太陽能逆變器
7. 電動(dòng)工具和其他手持設(shè)備的功率控制
IRFP460N
STW83N60
FDP15U60A
