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GA0603H332MBBAR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/21 19:52:34 查看 閱讀�17

GA0603H332MBBAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他需要高效功率控制的電子�(shè)備中。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
  該型�(hào)屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,適用于中高壓場(chǎng)景下的功率控制應(yīng)�。其封裝形式為TO-247,適合散熱要求較高的�(huán)��

參數(shù)

最大漏源電壓:600V
  連續(xù)漏極電流�33A
  �(dǎo)通電阻:80mΩ
  柵極電荷�90nC
  開關(guān)�(shí)間:ton=45ns,toff=35ns
  �(jié)溫范圍:-55℃至175�

特�

1. 高耐壓能力:該芯片的最大漏源電壓高�(dá)600V,能夠適�(yīng)各種高壓�(yīng)用場(chǎng)景�
  2. 低導(dǎo)通電阻:在典型工作條件下,導(dǎo)通電阻僅�80mΩ,有效減少導(dǎo)通損耗�
  3. 快速開�(guān)性能:具備較低的柵極電荷和快速的開關(guān)�(shí)�,有助于降低開關(guān)損��
  4. 高可靠性:芯片�(jīng)過嚴(yán)格的�(cè)試流�,確保在極端溫度條件下的�(wěn)定性和耐用��
  5. 散熱�(yōu)化設(shè)�(jì):采用大功率封裝形式(TO-247),提供良好的散熱性能,適合高功率密度�(yīng)��

�(yīng)�

1. 開關(guān)電源(SMPS�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器
  3. 逆變�
  4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)�
  6. 太陽能逆變�
  7. 電動(dòng)工具和其他手持設(shè)備的功率控制

替代型號(hào)

IRFP460N
  STW83N60
  FDP15U60A

ga0603h332mbbar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容3300 pF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0603�1608 公制�
  • 大小 / 尺寸0.063" � x 0.031" 寬(1.60mm x 0.80mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"�0.97mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-