GA0603H332MBBAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他需要高效功率控制的電子�(shè)備中。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
該型�(hào)屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,適用于中高壓場(chǎng)景下的功率控制應(yīng)�。其封裝形式為TO-247,適合散熱要求較高的�(huán)��
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�33A
�(dǎo)通電阻:80mΩ
柵極電荷�90nC
開關(guān)�(shí)間:ton=45ns,toff=35ns
�(jié)溫范圍:-55℃至175�
1. 高耐壓能力:該芯片的最大漏源電壓高�(dá)600V,能夠適�(yīng)各種高壓�(yīng)用場(chǎng)景�
2. 低導(dǎo)通電阻:在典型工作條件下,導(dǎo)通電阻僅�80mΩ,有效減少導(dǎo)通損耗�
3. 快速開�(guān)性能:具備較低的柵極電荷和快速的開關(guān)�(shí)�,有助于降低開關(guān)損��
4. 高可靠性:芯片�(jīng)過嚴(yán)格的�(cè)試流�,確保在極端溫度條件下的�(wěn)定性和耐用��
5. 散熱�(yōu)化設(shè)�(jì):采用大功率封裝形式(TO-247),提供良好的散熱性能,適合高功率密度�(yīng)��
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 逆變�
4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)�
6. 太陽能逆變�
7. 電動(dòng)工具和其他手持設(shè)備的功率控制
IRFP460N
STW83N60
FDP15U60A